[發明專利]一種激光盲孔開蓋方法

有效

• 申請號: 201811301064.X
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN109640524B
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 張立國
• 申請（專利權）人: 武漢銥科賽科技有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;B23K26/386
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立;陳振玉

1.一種激光盲孔開蓋方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：將刻槽激光束照射至待開蓋電路板基材表層導電層，并在所述表層導電層表面形成刻槽激光光斑，控制所述刻槽激光光斑按照預設軌跡在待開蓋電路板基材表層導電層進行激光刻蝕，并形成環形溝槽；

步驟2：將加熱激光束照射至所述環形溝槽及環形溝槽內側待開蓋的導電區域，并在所述環形溝槽及所述導電區域形成加熱激光光斑，控制所述加熱激光光斑繞圈對所述環形溝槽及所述導電區域加熱，使得所述環形溝槽內側電路板基材表層導電層受熱松動脫落，完成盲孔開蓋并形成初級盲孔；

其中，所述刻槽激光束與加熱激光束經過同一平場聚焦系統聚焦后照射在電路板基材表層導電層，待開蓋電路板基材從上至下依次層疊至少設置有表層導電層、中間絕緣層和下層導電層；所述環形溝槽的深度不小于待開蓋電路板基材表層導電層的厚度，且不大于待開蓋電路板基材表層導電層的厚度與中間絕緣層厚度之和；所述刻槽激光光斑的直徑小于40微米，且所述刻槽激光光斑的峰值功率密度大于電路板基材表層導電層的損傷閾值；所述加熱激光光斑的直徑小于500微米，且所述加熱激光光斑的峰值功率密度小于電路板基材表層導電層的損傷閾值。

2.根據權利要求1所述的激光盲孔開蓋方法，其特征在于，所述刻槽激光光斑中心與所述加熱激光光斑中心之間的距離不大于40毫米。

3.根據權利要求1所述的激光盲孔開蓋方法，其特征在于，在所述刻槽激光束照射至待開蓋電路板基材表層導電層之前，還包括如下步驟：

采用所述加熱激光束按照預設軌跡對待開蓋電路板基材表層導電層進行預先加熱。

4.根據權利要求1所述的激光盲孔開蓋方法，其特征在于，在所述加熱激光束照射至待開蓋電路板基材表層導電層的環形溝槽及環形溝槽內側待開蓋的導電區域之前，還包括如下步驟：

采用所述加熱激光束對環形溝槽內側待開蓋的導電區域進行加熱，使得電路板基材中間絕緣層軟化或熔化。

5.根據權利要求1-4任一項所述的激光盲孔開蓋方法，其特征在于，所述加熱激光光斑對環形溝槽及環形溝槽內側待開蓋的導電區域加熱時，所述環形溝槽內側電路板基材表層導電層連同中間絕緣層的上層粘接層和中間玻璃纖維織布層一起受熱松動脫落；

其中，所述中間絕緣層從上至下依次包括上層粘接層、中間玻璃纖維織布層和下層粘接層，所述環形溝槽的深度大于所述表層導電層、上層粘接層和中間玻璃纖維織布層的厚度之和，小于所述表層導電層、上層粘接層、中間玻璃纖維織布層和下層粘接層的厚度之和。

6.根據權利要求1-4任一項所述的激光盲孔開蓋方法，其特征在于，還包括如下步驟：

步驟3：采用所述刻槽激光束和/或加熱激光束照射所述初級盲孔底部，去除所述中間絕緣層，直至露出所述下層導電層，其中，所述刻槽激光束和加熱激光束分別在所述初級盲孔底部形成刻槽激光光斑和加熱激光光斑；

或者，

步驟3：采用清掃絕緣層激光束照射所述初級盲孔底部，去除所述中間絕緣層，直至露出所述下層導電層；其中，所述清掃絕緣層激光束在所述初級盲孔底部形成清掃絕緣層激光光斑。

7.根據權利要求6所述的激光盲孔開蓋方法，其特征在于，所述刻槽激光束、加熱激光束和清掃絕緣層激光束通過同一平場聚焦鏡光學系統聚焦后對應照射至所述待開蓋電路板基材表層導電層或所述初級盲孔底部，且所述清掃絕緣層激光光斑中心距離所述刻槽激光光斑中心和加熱激光光斑中心均小于40毫米。