[發明專利]一種可熱合硅橡膠彈性體薄膜及其生產設備和制備方法在審
| 申請號: | 201811299469.4 | 申請日: | 2018-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN109483977A | 公開(公告)日: | 2019-03-19 |
| 發明(設計)人: | 桂旺林;武志芳 | 申請(專利權)人: | 深圳市鑫銀環保橡塑制品有限公司 |
| 主分類號: | B32B25/08 | 分類號: | B32B25/08;B32B27/40;B32B7/12;B32B7/08;B32B33/00;B32B37/12;B32B37/10;B32B38/00;B29D7/01;C08J5/18;C08J7/04;C08L75/04;C08L83/04 |
| 代理公司: | 深圳市鼎智專利代理事務所(普通合伙) 44411 | 代理人: | 徐永雷 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚硅氧烷共聚物 聚氨酯彈性體 熱合 薄膜 硅橡膠彈性體 薄膜基材 硅橡膠薄膜 生產設備 制備 有機硅彈性體 單一聚合物 聚合物合金 硫化硅橡膠 有機硅橡膠 性能優點 綜合性能 共聚合 有機硅 附著 嵌段 涂覆 融合 | ||
1.一種可熱合硅橡膠彈性體薄膜,其特征在于,包括硅橡膠薄膜層、聚硅氧烷共聚物層和聚氨酯彈性體薄膜基材,聚硅氧烷共聚物層涂覆在聚氨酯彈性體薄膜基材表面,硅橡膠薄膜層附著在聚硅氧烷共聚物層上。
2.一種可熱合硅橡膠彈性體薄膜的生產設備,其特征在于,包括基材放卷裝置、壓延機、送料裝置、分段硫化槽和卷料設備,所述的基材放卷裝置、壓延機、送料裝置、分段硫化槽和卷料設備之間依次通過傳送帶連接;所述基材放卷裝置用于將聚氨酯彈性體薄膜基材放置到傳送帶上,所述卷料設備包括保護膜滾筒和離型紙滾筒,保護膜滾筒用于將保護膜貼附到中間的硅橡膠彈性體薄膜上,離型紙滾筒用于將離型紙附著到中間的硅橡膠彈性體薄膜上。
3.根據權利要求2所述的一種可熱合硅橡膠彈性體薄膜的生產設備,其特征在于,所述壓延機為5輥壓延機,所述分段硫化槽包括4段硫化槽,每段所述硫化槽之間的溫度差控制為±5℃。
4.一種可熱合硅橡膠彈性體薄膜的生產設備,其特征在于,包括權利要求2或3所述的放卷裝置、送料裝置、分段硫化槽和卷料設備,還包括涂布設備,所述的基材放卷裝置、涂布設備、送料裝置、分段硫化槽和卷料設備之間依次通過傳送帶連接。
5.一種可熱合硅橡膠彈性體薄膜及其制備方法,其特征在于,利用權利要求2~3任意一項所述的可熱合硅橡膠彈性體薄膜的生產設備,包括以下步驟:
S1,制備固態的硅橡膠混合物:將硅橡膠生膠與第一助劑按照配比混合加工得到混煉膠,再經高溫硫化得到固態的硅橡膠混合物;
S2,制備液態加成型硅橡膠混合物:將基膠和第二助劑按照配比混合后充分攪拌,抽真空備用;
S3,聚氨酯彈性體薄膜基材的表面接枝處理:將聚硅氧烷共聚物層涂覆于聚氨酯彈性體薄膜基材上,經干燥后收卷待用;
S4,制備涂膠:利用壓延機將所述固態的硅橡膠混合物制成表面光滑的硅橡膠薄膜層,并通過上下復合輥將步驟S3的得到的所述聚氨酯彈性體薄膜基材與所述硅橡膠薄膜層壓貼復合完成出片,得到初步復合涂膠薄膜;
S5,制備涂層:利用涂布設備將步驟S2得到的所述液態加成型硅橡膠混合物涂覆于步驟S3的得到的所述聚氨酯彈性體薄膜基材上,通過上下兩層涂料貼合輥,得到初步復合涂層薄膜;
S6,硫化,將所述初步復合涂膠薄膜或所述初步復合涂層薄膜通過送料裝置送到硫化槽進行分段控溫加熱硫化,并控制復合成型時間,得到硫化硅橡膠彈性體薄膜;
S7,收卷,將所述硫化硅橡膠彈性體薄膜上下面分別覆蓋保護膜和離型紙,并通過卷料設備收卷得到硅橡膠彈性體薄膜的卷材。
6.根據權利要求5所述的一種可熱合硅橡膠彈性體薄膜的制備方法,其特征在于,所述第一助劑包括補強填料、交聯劑、催化劑、抑制劑和著色劑。
7.根據權利要求5所述的一種可熱合硅橡膠彈性體薄膜的制備方法,其特征在于,在步驟S2中,所述第二助劑包括填料、交聯劑、催化劑、抑制劑和添加劑。
8.根據權利要求5所述的一種可熱合硅橡膠彈性體薄膜的制備方法,其特征在于,在步驟S3中,所述聚氨酯彈性體薄膜基材的厚度為0.04~0.1mm。
9.根據權利要求5所述的一種可熱合硅橡膠彈性體薄膜的制備方法,其特征在于,在步驟S4中,所述初步復合涂膠薄膜的厚度為0.08~1.3mm,步驟S5中所述初步復合涂層薄膜的厚度為0.02~1.5mm。
10.根據權利要求5所述的一種可熱合硅橡膠彈性體薄膜的制備方法,其特征在于,在步驟S6中,所述復合成型時間為3~10min,所述初步復合涂膠薄膜在硫化槽中進行分段控溫加熱的控制溫度依次為130℃、135℃、140℃、145℃,所述初步復合涂層薄膜在硫化槽進行分段控溫加熱的控制溫度依次為110℃、115℃、120℃、125℃。
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