[發明專利]用于高級集成電路結構制造的外延源極或漏極結構

在審

• 申請號: 201811297813.6
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109860186A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: S·喬希;M·J·杰克遜;M·L·哈藤多夫
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種集成電路結構，包括：

包括硅的鰭狀物，所述鰭狀物具有下鰭狀物部分和上鰭狀物部分；

所述鰭狀物的所述上鰭狀物部分之上的柵極電極，所述柵極電極具有與第二側相對的第一側；

在所述柵極電極的所述第一側嵌入于所述鰭狀物中的第一外延源極或漏極結構；以及

在所述柵極電極的所述第二側嵌入于所述鰭狀物中的第二外延源極或漏極結構，所述第一外延源極或漏極結構和所述第二外延源極或漏極結構包括硅和鍺并具有火柴棍輪廓。

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一外延源極或漏極結構和所述第二外延源極或漏極結構具有較弱的刻面。

3.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一外延源極或漏極結構和所述第二外延源極或漏極結構均具有大約50納米的高度并均具有30-35納米的范圍內的寬度。

4.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中所述第一外延源極或漏極結構和所述第二外延源極或漏極結構從所述第一外延源極或漏極結構和所述第二外延源極或漏極結構的底部處的大約20％鍺濃度梯度變化到所述第一外延源極或漏極結構和所述第二外延源極或漏極結構的頂部處的大約45％鍺濃度。

5.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一外延源極或漏極結構和所述第二外延源極或漏極結構被摻雜有硼原子。

6.根據權利要求1所述的集成電路結構，還包括：

沿所述鰭狀物處于所述柵極結構的所述第一側的部分的側壁的第一電介質間隔體；以及

沿所述鰭狀物處于所述柵極結構的所述第二側的部分的側壁的第二電介質間隔體。

7.根據權利要求6所述的集成電路結構，其中，所述第一電介質間隔體進一步沿所述第一外延源極或漏極結構的側壁的下部部分，并且其中，所述第二電介質間隔體進一步沿所述第二外延源極或漏極結構的側壁的下部部分。

8.根據權利要求1所述的集成電路結構，還包括：

所述第一外延源極或漏極結構上的第一導電電極；以及

所述第二外延源極或漏極結構上的第二導電電極。

9.一種制造集成電路結構的方法，所述方法包括：

形成包括硅的鰭狀物，所述鰭狀物具有下鰭狀物部分和上鰭狀物部分；

在所述鰭狀物的所述上鰭狀物部分之上形成柵極電極，所述柵極電極具有與第二側相對的第一側；

在所述柵極電極的所述第一側和所述柵極電極的所述第二側使所述鰭狀物凹陷；

在所述柵極電極的所述第一側處的凹陷的鰭狀物的第一部分上形成第一外延源極或漏極結構；以及

在所述柵極電極的所述第二側處的凹陷的鰭狀物的第二部分上形成第二外延源極或漏極結構，所述第一外延源極或漏極結構和所述第二外延源極或漏極結構包括硅和鍺并具有火柴棍輪廓。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

沿所述鰭狀物處于所述柵極結構的所述第一側的部分的側壁形成第一電介質間隔體；以及

沿所述鰭狀物處于所述柵極結構的所述第二側的部分的側壁形成第二電介質間隔體。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，在所述柵極電極的所述第一側和所述柵極電極的所述第二側使所述鰭狀物凹陷包括使所述鰭狀物凹陷到低于所述第一電介質間隔體和所述第二電介質間隔體的頂表面，其中，所述第一電介質間隔體進一步沿所述第一外延源極或漏極結構的側壁的下部部分，并且其中，所述第二電介質間隔體進一步沿所述第二外延源極或漏極結構的側壁的下部部分。

12.根據權利要求9所述的方法，還包括：

在所述第一外延源極或漏極結構上形成第一導電電極；以及

在所述第二外延源極或漏極結構上形成第二導電電極。