[發(fā)明專利]一種橢圓波束卡塞格倫天線的設(shè)計方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811295333.6 | 申請日: | 2018-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN109408986B | 公開(公告)日: | 2022-11-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉興隆;杜彪;周建寨;解磊 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團(tuán)公司第五十四研究所 |
| 主分類號: | G06F30/367 | 分類號: | G06F30/367 |
| 代理公司: | 河北東尚律師事務(wù)所 13124 | 代理人: | 王文慶 |
| 地址: | 050081 河北省石家莊市中山西路*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 橢圓 波束 卡塞格倫 天線 設(shè)計 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種橢圓波束卡塞格倫天線的設(shè)計方法,屬于衛(wèi)星通信天線設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括口面場函數(shù)和過渡函數(shù)的參數(shù)化;以口面場函數(shù)和過渡函數(shù)的參數(shù)構(gòu)成種群個體,基于DEGL算法進(jìn)行種群迭代;以最后一代種群中的最優(yōu)個體對天線進(jìn)行賦形,得到橢圓波束卡塞格倫天線的最優(yōu)設(shè)計等步驟。本發(fā)明方法可以快速優(yōu)化設(shè)計出高效率、低旁瓣、低交叉極化、大軸比的橢圓波束天線,是對現(xiàn)有天線設(shè)計方法的一個重要改進(jìn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及衛(wèi)星通信天線設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域,特別是指一種橢圓波束卡塞格倫天線的設(shè)計方法。本發(fā)明可用于為移動衛(wèi)星站,特別是星載、車載、機載等空間有限的衛(wèi)星通信站設(shè)計高性能、低剖面的天線。
背景技術(shù)
在衛(wèi)星通信領(lǐng)域中,賦型雙反射面天線技術(shù)是目前研究的主流方向。其中,賦形橢圓波束卡塞格倫天線由于其可以形成大軸比橢圓波束,實現(xiàn)低剖面和高效率,因而格外受到人們的關(guān)注。
目前,在賦形橢圓波束卡塞格倫天線的設(shè)計中,口面場和過渡函數(shù)是設(shè)計的關(guān)鍵要素。常規(guī)的經(jīng)典口面場有廣義特勒位移分布、指數(shù)分布、漢森分布等形式,但是這些形式只適用于圓口徑天線,對于橢圓口徑不再適用。為此,現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)展出了試錯法來對口面場和過渡函數(shù)進(jìn)行尋優(yōu),但是,這種方式效率很低,難以快速找到最優(yōu)的口面場分布和過渡函數(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提出一種橢圓波束卡塞格倫天線的設(shè)計方法,該方法能夠用較少的控制參數(shù)解決快速尋優(yōu)問題,可用于快速優(yōu)化設(shè)計出高效率、低旁瓣、低交叉極化、大軸比的橢圓波束天線。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案:
一種橢圓波束卡塞格倫天線的設(shè)計方法,其包括以下步驟:
(A1)將長、短軸平面內(nèi)的口面場函數(shù)以及過渡函數(shù)參數(shù)化;
(A2)以口面場函數(shù)和過渡函數(shù)的參數(shù)構(gòu)成種群個體,基于DEGL算法進(jìn)行種群迭代;迭代過程中,約束第一旁瓣,優(yōu)化橢圓波束天線的效率;
(A3)以最后一代種群中的最優(yōu)個體對天線進(jìn)行賦形,得到橢圓波束卡塞格倫天線的最優(yōu)設(shè)計;
所述步驟(A2)中,初代種群中的每一個個體隨機生成,每一后代種群的生成方式均包括以下步驟:
(B1)以前代種群中每個個體的口面場函數(shù)參數(shù)和過渡函數(shù)參數(shù)為變量對橢圓波束卡塞格倫天線進(jìn)行賦形,得到天線的模型;
(B2)利用物理光學(xué)法和物理繞射法對天線模型進(jìn)行仿真計算,得到天線模型的效率和第一旁瓣;
(B3)根據(jù)天線模型的效率和第一旁瓣,以最大化天線的效率為目標(biāo),同時保證工作頻帶內(nèi)的第一旁瓣滿足設(shè)計要求,選取前代種群中的全局最優(yōu)個體,并在前代種群每個個體的鄰域中選取該個體所對應(yīng)的鄰域最優(yōu)個體;
(B4)針對前代種群中的每一個個體,根據(jù)該個體所對應(yīng)的鄰域最優(yōu)個體和全局最優(yōu)個體求取該個體的變異算子、交叉算子和選擇算子,并基于選擇算子生成該個體的下一代個體。
具體地,所述步驟(A1)中的長、短軸平面內(nèi)的口面場函數(shù)分別為:
和
其中,F(xiàn)90°(u)為長軸平面內(nèi)的口面場函數(shù),F(xiàn)0°(u)為短軸平面內(nèi)的口面場函數(shù),F(xiàn)90°(u)和F0°(u)的函數(shù)形式均為k次NURBS口面場曲線;ωi為權(quán)因子,di、d′i分別表示長、短軸平面中的第i個控制點坐標(biāo),Ni,k(u)為k次規(guī)范B樣條基函數(shù);
過渡函數(shù)為只有一個參數(shù)q的正弦指數(shù)函數(shù):
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