[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 201811294517.0
• 申請日: 2018-11-01
• 公開（公告）號: CN111129321A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 李龍基;曹蔚然;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點發光二極管，包括層疊設置的陽極、量子點發光層、電子傳輸層以及陰極，其特征在于，在所述電子傳輸層和陰極之間還設置有Cr₂O₃膜層，所述電子傳輸層材料的導帶能級和陰極材料的導帶能級均小于Cr₂O₃的導帶能級。

2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述Cr₂O₃膜層的厚度為1-30nm。

3.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層材料為ZnO、Fe₂O₃、SnO₂、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一種或多種。

4.根據權利要求3所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層的厚度為10-60nm。

5.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述量子點發光層和陽極之間還設置有空穴注入層和空穴傳輸層中的一種或兩種。

6.根據權利要求5所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述空穴注入層為PEDOT:PSS、NiO、MoO₃、WO₃和V₂O₅中的一種或多種；

所述空穴傳輸層為TFB、PVK、Poly-TPD、PFB、TCTA、CBP、TPD和NPB中的一種或多種。

7.根據權利要求5所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層的厚度為1-100nm。

8.一種量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供一基板，在所述基板上制備陽極；

在所述陽極表面制備量子點發光層；

在所述量子點發光層表面制備電子傳輸層；

在所述電子傳輸層表面蒸鍍鉻金屬，生成Cr₂O₃膜層；

在所述Cr₂O₃膜層表面制備陰極，制得量子點發光二極管；

或者，提供一基板，在所述基板上制備陰極；

在所述陰極表面蒸鍍鉻金屬，生成Cr₂O₃膜層；

在所述Cr₂O₃膜層表面制備電子傳輸層；

在所述電子傳輸層表面制備量子點發光層；

在所述量子點發光層表面制備陽極，制得所述量子點發光二極管；

其中，所述電子傳輸層材料的導帶能級和陰極材料的導帶能級均小于所述Cr₂O₃的導帶能級。

9.根據權利要求8所述量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述在所述陰極表面蒸鍍鉻金屬，生成Cr₂O₃膜層的步驟包括：

在低真空氧氣環境下，在所述陰極表面蒸鍍鉻金屬，生成致密的Cr₂O₃膜層。

10.根據權利要求9所述量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述低真空氧氣環境下的氣壓為10^-2-10^-4Pa。