[發明專利]氣體供給系統及氣體供給方法

有效

• 申請號: 201811294307.1
• 申請日: 2018-11-01
• 公開（公告）號: CN109755157B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 澤地淳;綱倉紀彥
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G05D7/06
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 房永峰

提供一種為了控制多個氣體并執行處理而改進的氣體供給系統。氣體供給系統具備第1流路、多個第1氣體排出孔、第2流路、第2氣體排出孔及多個第1隔膜閥。第1流路與第1氣體的第1氣源連接，且形成于構成處理容器的頂棚的頂棚部件的內部或處理容器的側壁的內部。多個第1氣體排出孔連通第1流路與處理空間。第2流路與第2氣體的第2氣源連接，且形成于頂棚部件的內部或處理容器的側壁的內部。第2氣體排出孔連通第2流路與處理空間。各第1隔膜閥在第1流路與第1氣體排出孔之間與第1氣體排出孔對應地設置。

技術領域

本公開涉及一種氣體供給系統及氣體供給方法。

背景技術

專利文獻1公開了一種從多個氣源向處理容器供給氣體的氣體供給系統。專利文獻1中所記載的系統從多個氣源生成混合氣體之后，分流所生成的混合氣體并供給至處理容器。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第3856730號

隨著半導體裝置的微細化，需要進行重復原子能級的層疊及去除的工序。為了實現這種處理，必須進一步提高處理氣體的響應速度，并且進行處理氣體的切換的進一步高速化。關于專利文獻1中所記載的系統，從提高處理氣體的響應速度，進一步提高處理氣體的切換速度的觀點考慮，有待改進。

發明內容

本公開的一個方面為向基板處理裝置的處理容器內的處理空間供給氣體的氣體供給系統。系統具備第1流路、多個第1氣體排出孔、第2流路、第2氣體排出孔及多個第1隔膜閥。第1流路與第1氣體的第1氣源連接，且形成于構成處理容器的頂棚的頂棚部件的內部或處理容器的側壁的內部。多個第1氣體排出孔連通第1流路與處理空間。第2流路與第2氣體的第2氣源連接，且形成于頂棚部件的內部或處理容器的側壁的內部。第2氣體排出孔連通第2流路與處理空間。各第1隔膜閥在第1流路與第1氣體排出孔之間與第1氣體排出孔對應地形成。

在該系統中，第1氣體從第1流路經由多個第1氣體排出孔供給至處理空間，第2氣體從第2流路經由多個第2氣體排出孔供給至處理空間。如此，第1氣體與第2氣體不匯合而供給至處理空間。因此，氣體供給系統中，相較于向處理容器供給之前使第1氣體與第2氣體匯合的情況，能夠省略經匯合的氣體到達處理容器為止的時間。因此，響應速度優異。并且，各第1隔膜閥配置于第1流路與第1氣體排出孔之間，即處理空間的附近。因此，氣體供給系統能夠通過第1隔膜閥響應性良好地供給并控制第1氣體，并且能夠高速切換向處理空間僅供給第2氣體的情況與向處理空間供給第1氣體與第2氣體的混合氣體的情況。因此，氣體供給系統能夠提高處理氣體的響應速度，進一步能夠提高處理氣體的切換速度。而且，氣體供給系統能夠按各第1氣體排出孔而控制第1氣體的供給及停止。

在一實施方式中，第1流路可以具有供給第1氣體的供給口及排出第1氣體的排氣口，且從供給口延伸至排氣口。并且，氣體供給系統還具備：控制閥，設置于供給口的上游，且將向供給口供給的第1氣體控制成規定壓力；及多個第1節流孔，各第1節流孔在第1流路與第1氣體排出孔之間與第1氣體排出孔對應地設置；及第1控制器，使控制閥及多個第1隔膜閥動作，各第1隔膜閥可以控制從第1節流孔的出口向第1氣體排出孔供給的第1氣體的供給定時。

在該情況下，第1氣體通過控制閥以規定壓力供給至第1流路，且從第1流路的供給口流通至排氣口。并且，第1氣體通過第1隔膜閥的開閉，從第1節流孔的出口供給至第1氣體排出孔。因此，氣體供給系統能夠使第1流路的壓力在整個流路中穩定化，并且使第1氣體分別從壓力處于穩定的狀態的第1流路的多個部位中分流。因此，氣體供給系統能夠減小每一第1氣體排出孔的壓力誤差。并且，氣體供給系統具備與第1氣體排出孔對應的第1節流孔，由此能夠抑制基于第1隔膜閥的開閉的第1流路內的壓力變動。