[發明專利]放射自顯影裝置

在審

• 申請號: 201811293984.1
• 申請日: 2018-11-01
• 公開（公告）號: CN109470722A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 牛明;花城;劉彤;華越軒;肖鵬;謝慶國
• 申請（專利權）人: 蘇州瑞派寧科技有限公司;華中科技大學
• 主分類號: G01N23/00
• 分類號: G01N23/00;G01T1/202
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種放射自顯影裝置，其特征在于，包括：

探測單元，其包括閃爍晶體陣列和與所述閃爍晶體陣列耦合的光電轉換器陣列，其中，所述閃爍晶體陣列用于接收從目標樣品發出的放射性射線并產生對應的可見光信號，所述光電轉換器陣列用于將所述可見光信號轉換為電信號；

信號處理單元，其用于對所述光電轉換器陣列產生的電信號進行處理；

圖像投影單元，其用于根據所述信號處理單元的信號處理結果進行圖像投影以得到所述目標樣品的圖像，其中，所述信號處理結果包括電信號的時間信息、能量信息以及閃爍晶體陣列中的閃爍晶體的位置信息。

2.根據權利要求1所述的放射自顯影裝置，其特征在于，當所述閃爍晶體陣列包括多個閃爍晶體時，每兩個所述閃爍晶體之間的間隙為0.04mm～0.2mm，并且所述閃爍晶體陣列的總厚度小于400mm。

3.根據權利要求1所述的放射自顯影裝置，其特征在于，當所述目標樣品的厚度為20μm～100μm時，每兩個所述閃爍晶體陣列之間的間距均為1mm～10mm。

4.根據權利要求1所述的放射自顯影裝置，其特征在于，所述光電轉換器陣列包括一個或多個光電轉換器，每個所述光電轉換器的尺寸與所述閃爍晶體陣列中的閃爍晶體的尺寸匹配。

5.根據權利要求4所述的放射自顯影裝置，其特征在于，所述光電轉換器均包括硅光電倍增器、光電倍增管、電荷耦合器件或雪崩光電二極管。

6.根據權利要求1所述的放射自顯影裝置，其特征在于，所述閃爍晶體陣列與所述光電轉換器陣列直接通過耦合層來耦合。

7.根據權利要求1所述的放射自顯影裝置，其特征在于，所述閃爍晶體陣列與所述光電轉換器陣列通過耦合層和光導來耦合，其中，所述耦合層位于所述光導與所述閃爍晶體陣列和所述光電轉換器陣列之間。

8.根據權利要求6或7所述的放射自顯影裝置，其特征在于，所述耦合層由光學膠水、硅膠、AB膠和/或UV膠組成。

9.根據權利要求7所述的放射自顯影裝置，其特征在于，所述光導的透光率大于90％，并且所述光導包括亞克力片、光學玻璃和/或光纖絲。

10.根據權利要求9所述的放射自顯影裝置，其特征在于，所述光導被部分切割或全切割，并且所述光導的切割縫隙的寬度為0.1mm～0.5mm。

11.根據權利要求7所述的放射自顯影裝置，其特征在于，所述光導為單層或多層結構，并且所述光導的總厚度為0.1mm～10mm。

12.根據權利要求1所述的放射自顯影裝置，其特征在于，所述探測單元還包括：

信號復用電路，其用于對所述光電轉換器陣列產生的電信號進行信號復用處理并將處理后的電信號發送給所述信號處理單元。

13.根據權利要求12所述的放射自顯影裝置，其特征在于，所述信號復用電路包括以下電路中的至少一種：電阻網絡復用電路、電容網絡復用電路、傳輸線復用電路、十字交叉復用電路和射頻線圈復用電路。

14.根據權利要求1所述的放射自顯影裝置，其特征在于，所述放射自顯影裝置還包括：

傳輸單元，其用于將所述信號處理單元的信號處理結果和/或所述圖像投影單元產生的圖像傳輸到外部裝置。

15.根據權利要求1所述的放射自顯影裝置，其特征在于，所述放射自顯影裝置還包括：

圖像重建單元，其用于根據所述電信號的信號處理結果進行圖像重建。