[發明專利]用于將反應腔室與裝載腔室隔離使得污染減少的裝置和方法

有效

• 申請號: 201811293511.1
• 申請日: 2018-11-01
• 公開（公告）號: CN109750277B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: C·L·懷特;K·范德如里奧;J·K·舒格魯;D·馬夸特
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 張全信;魏延玲

1.一種半導體加工裝置，其包含：

反應腔室，其包含包括開口的底板；

可移動襯底支撐件，其被配置為支撐襯底；

移動元件，其被配置為使保持在所述襯底支撐件上的襯底朝向所述底板的所述開口移動；

多個進氣口，其位于所述襯底支撐件上方并配置為將氣體向下引向所述襯底支撐件；以及

密封元件，其被配置為在所述底板與所述襯底支撐件之間形成密封部，所述密封部位于距所述襯底支撐件的中心比所述襯底支撐件的外邊緣更大的徑向距離處。

2.根據權利要求1所述的裝置，其進一步包含延伸穿過所述密封元件的多個孔，所述孔配置為在所述密封元件下方的位置與所述密封元件上方的位置之間提供流動路徑。

3.根據權利要求2所述的裝置，其進一步包含排氣口，其中所述孔中的至少一個和所述密封部相對于所述襯底支撐件的中心定位在小于或等于所述排氣口的徑向距離處。

4.根據權利要求3所述的裝置，其進一步包含在所述襯底支撐件與所述底板之間徑向延伸的間隙，其中所述孔布置在距所述襯底支撐件的中心比所述間隙大的徑向距離處。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中在所述襯底支撐件與所述底板之間形成沒有實質的豎直間隙的所述密封部。

6.根據權利要求5所述的裝置，其中所述排氣口位于距所述襯底支撐件的中心比所述多個氣體入口大的徑向距離處。

7.根據權利要求2所述的裝置，其中每個孔包含狹槽。

8.根據權利要求2所述的裝置，其中所述孔被配置為當在所述底板與所述襯底支撐件之間形成所述密封部時允許約50sccm至約200sccm的流量通過所述密封元件。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中所述襯底支撐件包含上部部分和下部部分，其中所述密封元件固定到所述襯底支撐件的所述上部部分的下側。

10.根據權利要求2所述的裝置，其中所述底板包含表面，所述表面包括頂點，所述密封部在所述頂點與所述密封元件之間形成，其中所述孔徑向地延伸穿過所述頂點。

11.根據權利要求1所述的裝置，其中所述密封元件是氣動致動的。

12.一種半導體加工裝置，其包含：

反應腔室，其包含包括開口的底板；

可移動襯底支撐件，其被配置為支撐襯底；

移動元件，其被配置為使保持在所述襯底支撐件上的襯底朝向所述底板的所述開口移動；以及

金屬密封元件，其圍繞所述襯底支撐件延伸并且配置為在所述底板與所述襯底支撐件之間形成密封部，其中多個孔延伸穿過所述密封元件，所述孔配置為在所述密封元件下方的位置到所述密封元件上方的位置之間提供流動路徑。

13.根據權利要求12所述的裝置，其中所述密封部包含所述密封元件與所述底板和所述襯底支撐件中的至少一個之間的金屬對金屬的接觸。

14.根據權利要求13所述的裝置，其中所述底板包含波紋管，其中所述密封部在所述密封元件與所述波紋管之間形成。

15.根據權利要求12所述的裝置，其中所述密封元件包含柔性隔膜，所述柔性隔膜包含哈氏合金C22、Nimonic-90或2級鈦中的至少一種。

16.根據權利要求15所述的裝置，其中所述柔性隔膜進一步包含Al₂O₃、ZrO或氧化釔中的至少一種的涂層。

17.根據權利要求12所述的裝置，其中每個孔包含狹槽。