[發(fā)明專利]一種含高介電系數(shù)介質(zhì)塊的HEMT器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811293318.8
• 申請(qǐng)日: 2018-11-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109461774B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅謙;孟思遠(yuǎn);文厚東;姜玄青
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種含高介電系數(shù)介質(zhì)塊的HEMT器件，包括襯底(1)、緩沖層(2)、勢(shì)壘層(3)、柵極(4)、源極(5)和漏極(6)，所述襯底(1)上依次設(shè)置緩沖層(2)和勢(shì)壘層(3)，所述勢(shì)壘層(3)與緩沖層(2)接觸的界面處形成二維導(dǎo)電溝道(9)；

所述源極(5)和漏極(6)分別設(shè)置在所述HEMT器件兩側(cè)且均與所述二維導(dǎo)電溝道(9)形成歐姆接觸；

所述源極(5)與漏極(6)之間設(shè)置所述柵極(4)，且所述柵極(4)位于所述勢(shì)壘層(3)上與所述勢(shì)壘層(3)形成肖特基接觸；

其特征在于，所述勢(shì)壘層(3)上位于柵極(4)與漏極(6)之間的區(qū)域設(shè)置有多個(gè)高介電系數(shù)介質(zhì)塊(7)，所述多個(gè)高介電系數(shù)介質(zhì)塊(7)分別與所述柵極(4)連接并沿柵漏方向延伸，所述柵極(4)與所述多個(gè)高介電系數(shù)介質(zhì)塊(7)形成梳指狀結(jié)構(gòu)，所述高介電系數(shù)介質(zhì)塊(7)與所述漏極(6)不直接接觸，所述高介電系數(shù)介質(zhì)塊(7)的介電系數(shù)大于所述勢(shì)壘層(3)的介電系數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含高介電系數(shù)介質(zhì)塊的HEMT器件，其特征在于，所述多個(gè)高介電系數(shù)介質(zhì)塊(7)之間填充絕緣介質(zhì)(8)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含高介電系數(shù)介質(zhì)塊的HEMT器件，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)(8)向所述漏極(6)方向延伸，在所述高介電系數(shù)介質(zhì)塊(7)與漏極(6)之間的區(qū)域部分或全部填充絕緣介質(zhì)(8)。