[發(fā)明專利]電機散熱控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811292314.8 | 申請日: | 2018-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN109104028B | 公開(公告)日: | 2019-04-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 尹潔;尹東升;李曉宇 | 申請(專利權)人: | 浙江江宇電機有限公司 |
| 主分類號: | H02K5/18 | 分類號: | H02K5/18;H02K9/22 |
| 代理公司: | 北京真致博文知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11720 | 代理人: | 孫敬文 |
| 地址: | 312300 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體制冷片 電機散熱 散熱 定子槽 電機 發(fā)熱 外部散熱裝置 工作功率 規(guī)律變化 散熱功率 轉(zhuǎn)子 側(cè)中部 導熱片 殼體 預設 合理性 統(tǒng)一 保證 | ||
本發(fā)明提供一種電機散熱控制方法。電機包括殼體、定子、轉(zhuǎn)子、多個第一半導體制冷片、外部散熱裝置和多個第一導熱片;一個定子槽處于定子的上側(cè)中部,且處于該定子槽一側(cè)的第一半導體制冷片為第一組第一半導體制冷片,處于該定子槽另一側(cè)的第一半導體制冷片為第二組第一半導體制冷片。其中,電機散熱控制方法包括:步驟A:控制第一組第一半導體制冷片和第二組第一半導體制冷片均按照預設規(guī)律變化的功率值工作。通過控制第一半導體制冷片的工作功率值,使電機的散熱和電機的發(fā)熱達到有效合理的統(tǒng)一,充分利用不同散熱功率的第一半導體制冷片,保證電機散熱的合理性,即熱量多的地方散熱快,熱量少的地方散熱慢,達到散熱和發(fā)熱的統(tǒng)一。
技術領域
本發(fā)明涉及電機領域,特別是涉及一種散熱優(yōu)良的電機散熱控制方法。
背景技術
目前,近年來,隨著電機行業(yè)不斷發(fā)展,電機制造企業(yè)不斷追求小體積,高功率密度,在電機設計中越來越多的采用高電磁負荷和熱負荷的材料,電機運行時產(chǎn)生的損耗增加,導致電機整體溫升過高或局部溫升過高,不僅會降低電機的使用壽命,影響電機的效率、轉(zhuǎn)矩等經(jīng)濟技術指標,還會引起電機結(jié)構(gòu)部件嚴重變形,危及電機運行安全。而且,發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有的電機散熱消耗的能量比較多,造成資源浪費。此外,現(xiàn)有的電機在工作過程中,因轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)動的過于劇烈,會產(chǎn)生強烈的震動,劇烈的震動會導致電機運轉(zhuǎn)的不穩(wěn)定,影響電機的穩(wěn)定工作。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明發(fā)明旨在克服現(xiàn)有電機的至少一個缺陷,提供一種散熱優(yōu)良的電機散熱控制方法,散熱效率高,且消耗較少的電能,即節(jié)能,電機性能優(yōu)良。
為此,本發(fā)明提出了一種電機散熱控制方法,所述電機包括殼體、定子、轉(zhuǎn)子、多個第一半導體制冷片、外部散熱裝置和多個第一導熱片;所述定子設置于所述殼體內(nèi);所述轉(zhuǎn)子設置于所述定子的徑向內(nèi)側(cè);所述定子具有定子槽和多個散熱孔組,每個所述散熱孔組具有兩個設置于一個相應所述定子槽兩側(cè)的第一條形孔,每個所述第一條形孔沿所述定子的軸向方向延伸,且開口朝向所述定子的徑向外側(cè);所述殼體上設置有多個第二條形孔,每個所述第二條形孔對應于一個所述第一條形孔設置;且
每個所述第一半導體制冷片插入一個所述第一條形孔,且每個所述第一半導體制冷片的冷端面朝向臨近其的所述定子槽;所述外部散熱裝置設置于所述殼體的外表面;每個所述第一導熱片與所述外部散熱裝置連接,且每個所述第一導熱片插入一個所述第二條形孔以及一個相應所述第一條形孔,且與該第一條形孔內(nèi)的所述第一半導體制冷片的熱端面接觸抵靠;而且
一個所述定子槽處于所述定子的上側(cè)中部,且處于該所述定子槽一側(cè)的所述第一半導體制冷片為第一組第一半導體制冷片,處于該所述定子槽另一側(cè)的所述第一半導體制冷片為第二組第一半導體制冷片;其中,所述電機散熱控制方法包括:
步驟A:控制第一組所述第一半導體制冷片和第二組所述第一半導體制冷片均按照預設規(guī)律變化的功率值工作。
進一步地,所述預設規(guī)律為每組所述第一半導體制冷片中,處于上側(cè)的所述第一半導體制冷片的功率值小于處于下側(cè)的所述第一半導體制冷片的功率值。
進一步地,處于下側(cè)的所述第一半導體制冷片的功率值為處于上側(cè)的所述第一半導體制冷片的功率值的1.02至1.04倍。
進一步地,在所述步驟A之前還包括:
步驟B:在每次開啟電機時,且在所述電機開啟距離上一次所述電機關閉時的時間間隔大于預設時間間隔時,檢測所述電機所處的環(huán)境溫度,并根據(jù)所述環(huán)境溫度控制第一組所述第一半導體制冷片和第二組所述第一半導體制冷片的開啟;
否則,在所述電機開啟時,同時開啟第一組所述第一半導體制冷片和第二組所述第一半導體制冷片。
進一步地,所述預設時間間隔為2h至4h。
進一步地,在所述步驟A之后還包括:
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