[發明專利]一種具有高隔離度的雙極化/圓極化寬帶高密度天線陣列

有效

• 申請號: 201811292131.6
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109494460B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 唐明春;余亞清;陳志遠;孫笑帥;熊漢
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q15/24;H01Q21/00
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1.一種具有高隔離度的雙極化/圓極化寬帶高密度陣列天線，其特征在于：包括兩方形輻射貼片(1)/圓形輻射貼片(1’)，置于兩輻射貼片之間正上方的懸置混合型互耦抑制結構(2)(3)/(2’)(3’)以及寄生耦合的地板(4)/(4’)，所述懸置混合型互耦抑制結構由位于不同豎直高度的曲折型條帶和H型條帶構成，曲折型條帶(2)/(2’)所在的介質基板下表面與H型條帶(3)/(3’)之間形成空氣層(5)/(5’)，兩個結構之間相互垂直，設置位于兩輻射貼片之間正上方。所述懸置混合型互耦抑制結構中的曲折型條帶(2)/(2’)由枝節I(11)/(11’)和枝節II(12)/(12’)構成，枝節I和枝節II之間具有一定的間距，所述枝節I的頭部垂直向下彎折形成第一彎折部(13)/(13’)，所述枝節I的中部垂直向下彎折形成第二彎折部(14)/(14’)，所述枝節I的尾部垂直向下彎折形成第三彎折部(15)/(15’)，所述枝節II與枝節I呈鏡像對稱。

2.根據權利要求1所述的具有高隔離度的雙極化/圓極化寬帶高密度陣列天線，其特征在于：該陣列天線還包括懸置混合型互耦抑制結構所在的兩層介質基板、兩輻射貼片所在的一層介質基板、多層印刷電路板(9)/(9’)和下層金屬載板，所述懸置混合型互耦抑制結構所在的兩層介質基板之間形成空氣層(5)；兩輻射貼片(1)/(1’)與懸置混合型互耦抑制結構(3)/(3’)所在的介質基板之間形成空氣層(6)/(6’)；兩輻射貼片(1)/(1’)所在的介質基板下表面與多層印刷電路板間形成空氣層(7)/(7’)；所述寄生耦合的地板(4)/(4’)設置于多層印刷電路板的上層介質板上表面，寄生耦合地板通過金屬柱與多層印刷電路板的下層地板連接，下層地板位于多層印刷電路板的下層介質板的下表面；所述寄生耦合地板上還設置有位于輻射貼片下方的溝槽結構。

3.根據權利要求1所述的具有高隔離度的雙極化/圓極化寬帶高密度陣列天線，其特征在于：所述懸置混合型互耦抑制結構由曲折型條帶(2)/(2’)和H型條帶(3)/(3’)構成，所述曲折型條帶(2)/(2’)和H型條帶(3)/(3’)位于不同的豎直高度，曲折型條帶(2)/(2’)所在的介質基板下表面與H型條帶(3)/(3’)之間形成空氣層(5)/(5’)，兩個結構之間相互垂直設置，均位于兩輻射貼片(1)/(1’)之間正上方。

4.根據權利要求3所述的具有高隔離度的雙極化/圓極化寬帶高密度陣列天線，其特征在于：所述懸置混合型互耦抑制結構中的曲折型條帶(2)/(2’)耦合抑制單元包括介質基板I(10)/(10’)和設置于介質基板I兩側的枝節I(11)/(11’)和枝節II(12)/(12’)，枝節I和枝節II之間具有一定的間距，所述枝節I的頭部垂直向下彎折形成第一彎折部(13)/(13’)，所述枝節I的中部垂直向下彎折形成第二彎折部(14)/(14’)，所述枝節I的尾部垂直向下彎折形成第三彎折部(15)/(15’)，所述枝節II與枝節I呈鏡像對稱。

5.根據權利要求3所述的具有高隔離度的雙極化/圓極化寬帶高密度陣列天線，其特征在于：所述懸置混合型互耦抑制結構中的H型條帶(3)/(3’)耦合抑制單元包括介質基板II(16)/(16’)和對稱設置于介質基板II兩側的枝節III(17)/(17’)和枝節IV(18)/(18’)，所述枝節I枝節II平行設置且由枝節V(19)/(19’)將枝節III和枝節IV中心橫向連接起來，最終形成H型字樣的互耦抑制結構。

6.根據權利要求2所述的具有高隔離度的雙極化/圓極化寬帶高密度陣列天線，其特征在于：所述多層印刷電路板(9)/(9’)上層介質基板與下層介質基板通過半固化片粘結組合而成；上下兩介質板之間設置有微帶饋線(8)/相位相差90°的微帶饋線(8’)，所述微帶饋線通過穿過下層金屬載板的SMP連接器內芯進行饋電。