[發明專利]二維Ga1-x 有效
| 申請號： | 201811292091.5 | 申請日： | 2018-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN109285900B | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發明（設計）人： | 馮偉;于苗苗;秦芳璐;劉赫 | 申請（專利權）人： | 東北林業大學 |
| 主分類號： | H01L31/0328 | 分類號： | H01L31/0328;C01B19/00 |
| 代理公司： | 哈爾濱市陽光惠遠知識產權代理有限公司 23211 | 代理人： | 田鴻儒 |
| 地址： | 150040 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二維 ga1 base sub | ||
1.一種二維Ga1-xInxSe合金的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一、將硒粉和銦鎵共熔合金放入石英舟中，然后將石英舟放入管式爐并將管式爐抽真空，并通入保護氣體，一次升溫后進行一次保溫一段時間，然后二次升溫，再二次保溫一段時間，降溫至室溫，制得塊體Ga1-xInxSe合金材料；
步驟二、將SiO2/Si基底進行預處理；步驟三、用透明膠帶反復粘貼塊體Ga1-xInxSe合金材料，然后將透明膠帶粘貼在經步驟一處理后的SiO2/Si基底上，撕去透明膠帶后，將SiO2/Si基底浸泡在丙酮中，取出SiO2/Si基底即可在其表面獲得隨機分布的二維Ga1-xInxSe合金；
步驟一中所述一次升溫及二次升溫的升溫速度均為20-40℃/min；步驟一中所述一次升溫，升溫至300℃；所述一次保溫，保溫時間為60-120min；步驟一中所述二次升溫，升溫至960℃；所述二次保溫，保持時間為120-180min；步驟一中所述降溫，降溫速度為50-100℃/min。
2.根據權利要求1所述的二維Ga1-xInxSe合金的制備方法，其特征在于：所述銦鎵共熔合金中，鎵質量為鎵、銦質量之和的75.5％，銦質量為鎵、銦質量之和的24.5％。
3.根據權利要求1所述的二維Ga1-xInxSe合金的制備方法，其特征在于：步驟一中硒的物質的量和銦、鎵的物質的量之和的比為(1.1-1.2):1。
4.根據權利要求1所述的二維Ga1-xInxSe合金的制備方法，其特征在于：所述保護氣體為氬氣，步驟一中Ar的流量為20-100sccm；步驟一中抽真空真空度為50-100Torr。
5.根據權利要求1所述的二維Ga1-xInxSe合金的制備方法，其特征在于：步驟二中，所述SiO2/Si基底厚度為300nm；所述SiO2/Si基底預處理方法具體為：將SiO2/Si基底浸泡在濃硫酸/雙氧水混合溶液中，然后取出，依次浸入異丙醇、丙酮、乙醇和超純水中超聲處理，用氮氣吹干，待用；所述浸泡，溫度為83℃，浸泡時間為20-40min；所述濃硫酸/雙氧水混合溶液，其中濃硫酸為質量分數97％以上的硫酸水溶液，雙氧水為質量分數35％的過氧化氫水溶液，所述混合溶液中，濃硫酸與雙氧水的體積比為3:1。
6.根據權利要求1所述的二維Ga1-xInxSe合金的制備方法，其特征在于：步驟三中，所述反復粘貼塊體Ga1-xInxSe合金材料，指將透明膠帶粘貼在塊體Ga1-xInxSe合金材料表面，然后將透明膠帶取下，重復上述操作4-9次，每次粘貼操作使用透明膠帶的位置相同；所述將透明膠帶粘貼在經步驟一處理后的SiO2/Si基底上，粘貼時間為5～12小時；所述將SiO2/Si基底浸泡在丙酮中，浸泡時間為2～4小時。
7.一種利用權利要求1-6任一項所述二維Ga1-xInxSe合金的制備方法制備的二維Ga1-xInxSe合金。
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