[發(fā)明專利]SLC頁讀取

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811291888.3
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109727622A
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發(fā)明（設計）人: H·R·桑吉迪;S·A·斯托勒;輝俊勝;A·馬爾謝;G·S·阿爾薩蘇阿;K·K·姆奇爾拉
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C8/08
• 分類號: G11C8/08;G11C16/14
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種NAND存儲器裝置，其包括：

NAND單元池；以及

控制器，其執(zhí)行致使所述控制器執(zhí)行操作的指令，所述操作包括：

接收讀取所述NAND單元池的經(jīng)指示頁的命令；以及

響應于接收到所述命令，將測試電壓施加到所述NAND單元池的第二頁，其中所述第二頁是與包含所述第一頁的所述NAND單元池的一組頁對應的讀取干擾指示符頁，且所述讀取干擾指示符頁由具有比所述第一頁大的讀取干擾余量的類型的NAND單元構成。

2.根據(jù)權利要求1所述的NAND存儲器裝置，其中所述操作進一步包括將讀取電壓施加到所述經(jīng)指示頁以讀取存儲在所述第一頁中的值，以及遞增讀取計數(shù)器。

3.根據(jù)權利要求2所述的NAND存儲器裝置，其中所述操作進一步包括：

確定所述讀取計數(shù)器大于閾值；

響應于確定所述讀取計數(shù)器大于所述閾值，掃描所述第二頁以確定針對所述組頁指示讀取干擾；以及

響應于確定針對所述組頁指示所述讀取干擾，掃描所述組頁中包含所述第一頁的每一頁以確定是否指示讀取干擾。

4.根據(jù)權利要求3所述的NAND存儲器裝置，其中掃描所述第二頁以確定是否針對所述組頁指示所述讀取干擾的所述操作包括讀取所述第二頁的所述值并確定出錯的位數(shù)目超過閾值。

5.根據(jù)權利要求2所述的NAND存儲器裝置，其中所述操作進一步包括：

確定所述讀取計數(shù)器大于閾值；

響應于確定所述讀取計數(shù)器大于所述閾值，掃描所述第二頁以確定是否針對所述組頁指示讀取干擾；以及

響應于確定沒有針對所述組頁指示所述讀取干擾，避免掃描所述組頁中的任何頁。

6.根據(jù)權利要求1所述的NAND存儲器裝置，其中所述讀取干擾指示符頁是單電平單元SLC或多電平單元MLC，且所述經(jīng)指示頁是三電平單元TLC。

7.根據(jù)權利要求1所述的NAND存儲器裝置，其中所述讀取干擾指示符頁與所述第一頁在同一塊中。

8.根據(jù)權利要求1所述的NAND存儲器裝置，其中所述測試電壓是直通電壓。

9.根據(jù)權利要求1所述的NAND存儲器裝置，其中不作為對所述第一頁的讀取操作的結果而將所述測試電壓施加到所述第二頁。

10.一種由NAND存儲器裝置執(zhí)行的方法，所述方法包括：

接收讀取所述NAND存儲器裝置中的NAND單元池的經(jīng)指示頁的命令；以及

響應于接收到所述命令，將測試電壓施加到所述NAND單元池的第二頁，其中所述第二頁是與包含所述第一頁的所述NAND單元池的一組頁對應的讀取干擾指示符頁，且所述讀取干擾指示符頁由具有比所述第一頁大的讀取干擾余量的類型的NAND單元構成。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中所述方法進一步包括將讀取電壓施加到所述經(jīng)指示頁以讀取存儲在所述第一頁中的值，以及遞增讀取計數(shù)器。

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述方法進一步包括：

確定所述讀取計數(shù)器大于閾值；

響應于確定所述讀取計數(shù)器大于所述閾值，掃描所述第二頁以確定針對所述組頁指示讀取干擾；以及

響應于確定針對所述組頁指示所述讀取干擾，掃描所述組頁中包含所述第一頁的每一頁以確定是否指示讀取干擾。

13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中掃描所述第二頁以確定是否針對所述組頁指示所述讀取干擾包括讀取所述第二頁的所述值并確定出錯的位數(shù)目超過閾值。