[發明專利]微元件轉移設備及其制作方法

有效

• 申請號: 201811291808.4
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN111128834B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 夏繼業;李之升;洪志毅;王程功
• 申請（專利權）人: 成都辰顯光電有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/677;G09F9/33
• 代理公司: 廣東君龍律師事務所 44470
• 代理人: 丁建春

本申請公開了一種微元件轉移設備及其制作方法，該微元件轉移設備包括基板以及位于基板上方的圖案化電極層，圖案化電極層包括第一導線、第一電極、第二導線以及第二電極，第一導線連接第一電極，第二導線連接第二電極，其中，第二電極環繞第一電極設置。通過對微元件轉移設備的轉移頭電極結構進行重新設計，采用第二電極環繞第一電極的雙電極排布結構，以提高兩個電極之間電場分布的均勻性，從而改善吸附微元件之后微元件的受力均勻性，并減少微元件在轉移過程中因受力不均勻而造成的損傷和從轉移頭上的脫落，進而提高轉移良率。

技術領域

本申請涉及微型器件領域，具體是涉及一種微元件轉移設備及其制作方法。

背景技術

微發光二極管(Micro-LED)是指微米尺寸的發光二極管(LED)，其制備過程為首先在石英等基底上外延生長，然后將LED轉移到玻璃基底上完成LED與驅動晶體管(TFT)的連接。在Micro-LED的拾取轉移過程中，一般采用靜電吸附、磁力吸附、范德華力作用、真空吸附等技術將LED從施主晶圓上拾取，并轉移到接受襯底上。單個Micro-LED在轉移過程中受力是否均勻、可控直接影響了器件受損傷的可能性，同時影響了轉移的良率。

在現有的轉移技術中，有一種轉移技術利用了靜電力，如圖1所示，在轉移頭上采用平行雙電極結構1，通過在轉移頭上施加電壓產生電場，由此吸附單個Micro-LED單元。但是該轉移頭的電極結構設計還有待優化，轉移過程中Micro-LED的受力均勻性以及轉移良率還有待提高。

發明內容

本申請主要解決的技術問題是提供一種微元件轉移設備及其制作方法，能夠提高微元件被吸附時的受力均勻性，進而提高轉移良率。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種微元件轉移設備，該微元件轉移設備包括：基板以及位于基板上方的圖案化電極層，圖案化電極層包括第一導線、第一電極、第二導線以及第二電極，第一導線連接第一電極，第二導線連接第二電極，其中，第二電極環繞第一電極設置。

為解決上述技術問題，本申請采用的另一個技術方案是：提供一種微元件轉移設備的制作方法，該制作方法包括：提供基板；在基板上形成圖案化電極層；其中，圖案化電極層包括第一導線、第一電極、第二導線以及第二電極；第一導線連接第一電極，第二導線連接第二電極；其中，第二電極環繞第一電極設置。

本申請的有益效果是：區別于現有技術的情況，本申請對微元件轉移設備的轉移頭上電極結構進行重新設計，采用第二電極環繞第一電極的雙電極排布結構，以提高兩個電極之間電場分布的均勻性，從而改善吸附微元件之后微元件的受力均勻性，并減少微元件在轉移過程中因受力不均勻而造成的損傷和從轉移頭上的脫落，進而提高轉移良率。

附圖說明

圖1是現有技術中轉移頭上電極結構一實施方式的結構示意圖；

圖2是本申請微元件轉移設備第一實施方式的結構示意圖；

圖3是沿圖2中的線A-A’截取的橫截面側視圖；

圖4是本申請微元件轉移頭第一實施方式中第一導線和第二導線與第一電極或第二電極實現電連接的另一實施方式的結構示意圖；

圖5是本申請微元件轉移設備第二實施方式的結構示意圖；

圖6是沿圖5中的線B-B’截取的橫截面側視圖；

圖7是本申請微元件轉移設備的制作方法一實施方式的流程示意圖；

圖8是圖7中S82的一實施方式的流程示意圖；

圖9是圖7中S82的另一實施方式的流程示意圖。

具體實施方式