[發(fā)明專利]掩模板框架、掩模板及其制作方法、張網(wǎng)機(jī)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811291504.8 | 申請日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN109188856B | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 洪忠慶 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;綿陽京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/64 | 分類號: | G03F1/64;C23C14/04;C23C16/04 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 張雨竹 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 模板 框架 及其 制作方法 張網(wǎng)機(jī) | ||
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種掩模板框架、掩模板及其制作方法、張網(wǎng)機(jī),涉及掩模板技術(shù)領(lǐng)域,可以使得對位測量更精準(zhǔn)。一種掩模板框架,包括中空的框架主體,所述框架主體上設(shè)置有多個第一對位標(biāo)記和多個第二對位標(biāo)記;所述第一對位標(biāo)記與所述第二對位標(biāo)記一一對應(yīng),且所述第一對位標(biāo)記與所述第二對位標(biāo)記無交疊;所述第一對位標(biāo)記設(shè)置于所述框架主體的一側(cè);所述第二對位標(biāo)記為貫穿所述框架主體的通孔。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及掩模板技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種掩模板框架、掩模板及其制作方法、張網(wǎng)機(jī)。
背景技術(shù)
目前,掩模板被廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域中進(jìn)行圖案制作。
掩模條制作完成后,需要在張網(wǎng)機(jī)上將掩模條與掩模板框架貼合在一起,制作形成掩模板。
掩模條在制作時有一定的張力,與掩模板框架貼合后發(fā)生向內(nèi)的回縮變形。當(dāng)掩模條與金屬框架貼合時,每貼一條掩模條,掩模板框架都會產(chǎn)生一定形變,因此每次貼合都需要進(jìn)行對位,對位不準(zhǔn)確將會影響張網(wǎng)精度,從而影響制得的掩模板的品質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種掩模板框架、掩模板及其制作方法、張網(wǎng)機(jī),可以使得對位測量更精準(zhǔn)。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
一方面,提供一種掩模板框架,包括中空的框架主體,所述框架主體上設(shè)置有多個第一對位標(biāo)記和多個第二對位標(biāo)記;所述第一對位標(biāo)記與所述第二對位標(biāo)記一一對應(yīng),且所述第一對位標(biāo)記與所述第二對位標(biāo)記無交疊;所述第一對位標(biāo)記設(shè)置于所述框架主體的一側(cè);所述第二對位標(biāo)記為貫穿所述框架主體的通孔。
可選的,所述框架主體包括中部具有開口區(qū)域的邊框以及跨設(shè)于所述開口區(qū)域的承載條;所述第二對位標(biāo)記設(shè)置于所述承載條上,且位于所述開口區(qū)域。
進(jìn)一步可選的,所述第一對位標(biāo)記位于所述邊框與所述承載條的重疊區(qū)域,且所述第一對位標(biāo)記為貫穿所述承載條的通孔。
可選的,所述第一對位標(biāo)記位于所述邊框與所述承載條的非重疊區(qū)域;所述第一對位標(biāo)記設(shè)置于所述邊框與所述承載條同側(cè)的表面上。
可選的,所述承載條為至少兩根;兩根所述承載條分別設(shè)置于所述邊框的相對兩側(cè)。
可選的,所述第一對位標(biāo)記為四個,四個所述第一對位標(biāo)記分別設(shè)置于所述邊框的四個角處;所述第二對位標(biāo)記分別靠近與其對應(yīng)的所述第一對位標(biāo)記設(shè)置。
再一方面,提供一種掩模板,包括上述的掩模板框架、掩模條。
另一方面,提供一種張網(wǎng)機(jī),包括承載臺、底部傳感器、頂部傳感器和處理器;所述承載臺用于承載權(quán)利要求上述的掩模板框架;所述底部傳感器設(shè)置于所述承載臺的下方,所述底部傳感器用于測量所述掩模板框架上的第二對位標(biāo)記的坐標(biāo);所述頂部傳感器設(shè)置于所述承載臺的上方,所述頂部傳感器用于測量所述掩模板框架上一一對應(yīng)的第一對位標(biāo)記和所述第二對位標(biāo)記之間的距離;所述處理器用于根據(jù)所述第二對位標(biāo)記的坐標(biāo),以及一一對應(yīng)的第一對位標(biāo)記和所述第二對位標(biāo)記之間的距離,計(jì)算所述第一對位標(biāo)記的坐標(biāo)。
可選的,所述頂部傳感器和所述底部傳感器均為CCD。
又一方面,提供一種掩模板的制作方法,包括:根據(jù)上述的掩模板框架,通過張網(wǎng)機(jī)的底部傳感器測量第二對位標(biāo)記的坐標(biāo),并通過張網(wǎng)機(jī)的頂部傳感器測量一一對應(yīng)的第一對位標(biāo)記和所述第二對位標(biāo)記之間的距離;根據(jù)所述第二對位標(biāo)記的坐標(biāo),以及一一對應(yīng)的第一對位標(biāo)記和所述第二對位標(biāo)記之間的距離,計(jì)算所述第一對位標(biāo)記的坐標(biāo);根據(jù)所述第一對位標(biāo)記的坐標(biāo),將掩模條固定于所述掩模板框架上。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





