[發明專利]稀土類鋁酸鹽熒光體及其制造方法有效
| 申請號: | 201811290991.6 | 申請日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN109943333B | 公開(公告)日: | 2023-10-20 |
| 發明(設計)人: | 眞島康彰;細川昌治 | 申請(專利權)人: | 日亞化學工業株式會社 |
| 主分類號: | C09K11/80 | 分類號: | C09K11/80;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京奉思知識產權代理有限公司 11464 | 代理人: | 吳立;鄒軼鮫 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 稀土 類鋁酸鹽 熒光 及其 制造 方法 | ||
1.一種稀土類鋁酸鹽熒光體,其特征在于,
含有:從由Y、La、Lu、Gd和Tb組成的組中選出的至少一種稀土元素Ln;Ce;以及Al;根據需要還含有從Ga和Sc中選出的至少一種元素M1,
所述稀土類鋁酸鹽熒光體中,稀土類鋁酸鹽的組成為:所述稀土元素Ln和Ce的合計摩爾比為3,Al和所述元素M1的合計摩爾比為5與0.95以上且1.05以下的變量k的積,Ce的摩爾比為0.003以上且0.017以下的變量n與3的積,
激發波長450nm處的發光峰值波長λp(nm)與所述變量n滿足關系式λp≥1590n+531。
2.根據權利要求1所述的稀土類鋁酸鹽熒光體,其中,
所述組成由下述式(I-1)表示,
(Ln1-nCen)3(Al1-mM1m)5kO12(I-1)
式(I-1)中,Ln為從由Y、La、Lu、Gd和Tb組成的組中選出的至少一種稀土元素,M1為從Ga和Sc中選出的至少一種元素,k、n、m分別是滿足0.95≤k≤1.05、0.003≤n≤0.017、0≤m≤0.02的數。
3.根據權利要求1或2所述的稀土類鋁酸鹽熒光體,其中,
所述Ln含有Y。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的稀土類鋁酸鹽熒光體,其中,
所述M1含有Ga。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的稀土類鋁酸鹽熒光體,其中,
根據FSSS法測定的平均粒徑為15μm以上。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的稀土類鋁酸鹽熒光體,其中,
在所述稀土類鋁酸鹽熒光體粒子的截面圖中,具有多個包含所述組成的層。
7.一種投影儀用光源裝置,其中,
具備:具有權利要求1至6中任一項所述的稀土類鋁酸鹽熒光體的熒光體單元;以及光源。
8.根據權利要求7所述的投影儀用光源裝置,其中,
所述光源為半導體激光器。
9.一種投影儀,其中,
所述投影儀使用了權利要求7或8所述的光源裝置。
10.一種稀土類鋁酸鹽熒光體的制造方法,其中,包含第一燒成工序和至少一次第二燒成工序,
所述第一燒成工序為,對含有從由Y、La、Lu、Gd和Tb組成的組中選出的至少一種稀土元素Ln的化合物、含有Ce的化合物、含有Al的化合物以及根據需要還含有從Ga和Sc中選出的至少一種元素M1的化合物,以所述稀土元素Ln和Ce的合計摩爾比為3、Al和所述元素M1的合計摩爾比為5、Ce的摩爾比為0.003以上且0.017以下的變量n與3的積的方式調整投料組成并混合而得到的第一原料混合物進行燒成,得到第一燒成物,
所述第二燒成工序為,對含有所述第一燒成物,和將含有從由Y、La、Lu、Gd和Tb組成的組中選出的至少一種稀土元素Ln的化合物、含有Ce的化合物、含有Al的化合物以及根據需要還含有從Ga和Sc中選出的至少一種元素M1的化合物以所述稀土元素Ln和Ce的合計摩爾比為3、Al和所述元素M1的合計摩爾比為5、Ce的摩爾比為0.003以上且0.017以下的變量n與3的積的方式調整投料組成并混合而得到的第二原料混合物的混合物進行燒成,得到第二燒成物。
11.根據權利要求10所述的稀土類鋁酸鹽熒光體的制造方法,其中,
包含對所述第一燒成物和/或所述第二燒成物進行酸洗處理的工序。
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