[發(fā)明專利]一種MEMS麥克風封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811290135.0
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109348388A
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發(fā)明（設計）人: 龐勝利;王順
• 申請（專利權）人: 歌爾股份有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 王昭智;馬佑平

本發(fā)明公開了一種MEMS麥克風封裝結(jié)構(gòu)。該封裝結(jié)構(gòu)包括：基板、MEMS芯片、殼體以及調(diào)節(jié)件，所述殼體與所述基板固定連接，構(gòu)成容納所述MEMS芯片的封裝結(jié)構(gòu)主體；所述封裝結(jié)構(gòu)主體上開設有聲孔，所述MEMS芯片設置在遠離所述聲孔的位置，所述MEMS芯片經(jīng)所述聲孔與外部連通；所述調(diào)節(jié)件設置在所述封裝結(jié)構(gòu)主體內(nèi)，所述調(diào)節(jié)件在正對所述聲孔的位置形成有緩沖凹陷部，所述緩沖凹陷部的開口朝向所述聲孔，所述緩沖凹陷部被配置為，削弱進入所述聲孔的氣流強度。本發(fā)明的一個技術效果在于，提高MEMS麥克風封裝結(jié)構(gòu)的抗氣流沖擊的性能，提高麥克風的穩(wěn)定性。

技術領域

本發(fā)明涉及微機電技術領域，更具體地，涉及一種MEMS麥克風封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術

目前，隨著人們對聲學器件性能要求越來越高，其中，對于麥克風裝置，人們對其信噪比、靈敏度以及聲學性能都提出了更高的要求。麥克風的結(jié)構(gòu)設計成為了本領域技術人員的一個研究重點。

微機電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)是一種微型器件，常與集成電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)芯片封裝在麥克風中。MEMS芯片通過振膜感知聲學信號，從而將聲學信號轉(zhuǎn)換為電信號。

通常，MEMS芯片和ASIC芯片是設置在由基板和殼體構(gòu)成的封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，封裝結(jié)構(gòu)上設置有供聲音進入的聲孔。但由于麥克風的振膜厚度較薄，抗吹氣性能差。當強氣流通過聲孔直接進入封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部，強氣流會對振膜產(chǎn)生影響，易導致振膜破裂、麥克風功能失效等問題。

因此，有必要提出一種新型的MEMS麥克風封裝結(jié)構(gòu)，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個目的是提供一種MEMS麥克風封裝結(jié)構(gòu)的新技術方案。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種MEMS麥克風封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)包括：基板、MEMS芯片、殼體以及調(diào)節(jié)件，所述殼體與所述基板固定連接，構(gòu)成容納所述MEMS芯片的封裝結(jié)構(gòu)主體；

所述封裝結(jié)構(gòu)主體上開設有聲孔，所述MEMS芯片設置在遠離所述聲孔的位置，所述MEMS芯片經(jīng)所述聲孔與外部連通；

所述調(diào)節(jié)件設置在所述封裝結(jié)構(gòu)主體內(nèi)，所述調(diào)節(jié)件在正對所述聲孔的位置形成有緩沖凹陷部，所述緩沖凹陷部的開口朝向所述聲孔，所述緩沖凹陷部被配置為，削弱進入所述聲孔的氣流強度。

可選地，所述聲孔位于所述基板上，所述調(diào)節(jié)件與所述基板圍合形成由所述聲孔連通至所述MEMS芯片的聲音通道。

可選地，所述基板上設有連通槽，所述調(diào)節(jié)件架設在所述連通槽上，所述調(diào)節(jié)件上形成將所述MEMS芯片與所述連通槽連通的通孔，所述連通槽作為所述聲音氣流通道。

可選地，所述聲孔位于所述殼體上。

可選地，所述MEMS芯片與所述調(diào)節(jié)件將所述封裝結(jié)構(gòu)主體分隔為前腔和背腔，所述MEMS芯片的一側(cè)通過所述前腔與所述聲孔連通，所述MEMS芯片的另一側(cè)與所述背腔連通。

可選地，所述調(diào)節(jié)件對應所述聲孔的位置形成向所述聲孔的方向延伸的凸起部，所述緩沖凹陷部形成在所述凸起部的頂端，所述凸起部內(nèi)形成有用于構(gòu)成至少一部分所述背腔的腔體；所述凸起部頂端與所述外殼設置有所述聲孔一側(cè)之間的距離為0.2±0.1mm。

可選地，所述調(diào)節(jié)件下表面的邊緣與所述基板連接，所述MEMS芯片設置在所述調(diào)節(jié)件的上表面上。

可選地，所述緩沖凹陷部的內(nèi)徑從靠近所述聲孔的一側(cè)向遠離所述聲孔的一側(cè)逐漸縮小。

可選地，所述緩沖凹陷部的深度為0.1mm-0.3mm。

可選地，所述連通槽的深度是0.05mm-0.1mm。