[發(fā)明專利]量子點(diǎn)薄膜的制備方法和量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811289692.0
• 申請(qǐng)日: 2018-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN111129355B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉煒浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 方良

1.一種量子點(diǎn)薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供量子點(diǎn)溶液，所述量子點(diǎn)溶液中含有表面結(jié)合有表面配體的量子點(diǎn)；

將所述量子點(diǎn)溶液沉積在基底上，得到初始量子點(diǎn)薄膜；

將所述初始量子點(diǎn)薄膜進(jìn)行加熱處理以使所述表面配體裂解和蒸發(fā)，所述初始量子點(diǎn)薄膜中的目標(biāo)元素的質(zhì)量百分含量小于1％后，置于含有水和/或氧的氣氛中進(jìn)行紫外光照處理，得到所述量子點(diǎn)薄膜；其中，所述目標(biāo)元素為不含碳元素和所述量子點(diǎn)元素的剩余表面配體元素。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述加熱處理的溫度為100-200℃；和/或

所述加熱處理的時(shí)間為5-50min。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述紫外光照處理的時(shí)間為5-20min；

和/或，所述含有水的氣氛具體是指相對(duì)濕度為65-85％的氣氛。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在進(jìn)行所述紫外光照處理之前，還包括對(duì)所述加熱處理后的初始量子點(diǎn)薄膜中的量子點(diǎn)表面配體含量進(jìn)行檢測(cè)，且在所述初始量子點(diǎn)薄膜中的目標(biāo)元素的質(zhì)量百分含量小于1％以后，再進(jìn)行紫外光照處理。

5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，對(duì)所述加熱處理后的初始量子點(diǎn)薄膜中的量子點(diǎn)表面配體含量進(jìn)行檢測(cè)的方法為掃描電鏡分析法或透射電鏡分析法。

6.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，對(duì)所述加熱處理后的初始量子點(diǎn)薄膜中的量子點(diǎn)表面配體含量進(jìn)行檢測(cè)，且在所述初始量子點(diǎn)薄膜中的目標(biāo)元素的質(zhì)量百分含量小于1％以后，再進(jìn)行紫外光照處理的步驟包括：

對(duì)第一次加熱處理后的初始量子點(diǎn)薄膜中的量子點(diǎn)表面配體含量進(jìn)行檢測(cè)后，如果所述目標(biāo)元素的質(zhì)量百分含量小于1％，則將所述第一次加熱處理后的量子點(diǎn)薄膜直接置于含有水和/或氧的氣氛中進(jìn)行紫外光照處理；

對(duì)第一次加熱處理后的初始量子點(diǎn)薄膜中的量子點(diǎn)表面配體含量進(jìn)行檢測(cè)后，如果所述目標(biāo)元素的質(zhì)量百分含量等于或大于1％，則進(jìn)行第二次加熱處理，對(duì)所述第二次加熱處理后的量子點(diǎn)薄膜中的量子點(diǎn)表面配體含量進(jìn)行檢測(cè)，如果所述目標(biāo)元素的質(zhì)量百分含量小于1％，則將所述第二次加熱處理后的量子點(diǎn)薄膜置于含有水和/或氧的氣氛中進(jìn)行紫外光照處理；如果所述目標(biāo)元素的質(zhì)量百分含量等于或大于1％，則繼續(xù)重復(fù)上述加熱處理和量子點(diǎn)表面配體含量檢測(cè)的步驟至所述目標(biāo)元素的質(zhì)量百分含量小于1％后，進(jìn)行紫外光照處理。

7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述表面配體選自硫醇、羧酸、胺基化合物、烷基磷、烷基氧膦和烷基磷酸中的至少一種；和/或

所述量子點(diǎn)選自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、PbSe、PbS、CdTe、CdZnSe、CdSeS、PbSeS、ZnCdTe、CdS/ZnS、CdZnS/ZnS、CdZnSe/ZnSe、CdSeS/CdSeS/CdS、CdSe/CdZnSe/CdZnSe/ZnSe、CdZnSe/CdZnSe/ZnSe、CdS/CdZnS/CdZnS/ZnS、CuInS₂、CuInSe₂、CsPbCl₃、CsPbBr₃和CsPbI₃中的至少一種。

8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述硫醇選自一硫醇、二硫醇、巰基醇、巰基胺和巰基酸中的至少一種；和/或

所述胺基化合物包括油胺、辛胺、二辛胺、三辛胺、壬胺、二壬胺、三壬胺、癸胺、十一胺、十二胺、十三胺、十四胺、十五胺、十六胺、十七胺和十八胺中的至少一種；和/或

所述烷基磷酸選自十烷基磷酸、十一烷基磷酸、十二烷基磷酸、十三烷基磷酸、十四烷基磷酸、十五烷基磷酸、十六烷基磷酸和十八烷基磷酸中的至少一種；和/或

所述烷基磷選自三丁基膦、三戊基膦、三己基膦、三庚基膦、三辛基膦、三壬基膦和三癸基膦中的至少一種；和/或

所述烷基氧膦選自三丁基氧膦、三戊基氧膦、三己基氧膦、三庚基氧膦、三辛基氧膦、三壬基氧膦和三癸基氧膦中的至少一種。