[發明專利]一種低碳鋼淬火態原奧氏體晶界的顯示方法

在審

• 申請號: 201811289041.1
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109283103A
• 公開（公告）日: 2019-01-29
• 發明（設計）人: 崔桂彬;鞠新華;尹立新;孟楊;嚴春蓮
• 申請（專利權）人: 首鋼集團有限公司
• 主分類號: G01N15/02
• 分類號: G01N15/02;G01N23/203;G01N23/20058
• 代理公司: 北京華誼知識產權代理有限公司 11207
• 代理人: 王普玉

1.一種低碳鋼淬火態原奧氏體晶界的顯示方法，其特征在于，具體步驟及參數如下：

1)樣品準備：樣品為低碳鋼淬火態試樣，C≤0.1wt％，并且保證上下表面平行，通過對表面電解拋光去除殘留應力，拋光表面進行面掃描；

2)電鏡參數的設置：為了獲得清晰的菊池花樣，需要對電鏡的參數進行設置，根據EBSD分析，電鏡參數設置為加速電壓15kV～20kV，束流1～10nA，工作距離WD為13～17mm；

3)掃描參數的設置：步長的設置原則是不大于平均晶粒尺寸的十分之一，采集時間為大于等于1小時；

4)數據后處理分析：面掃描結束后，對數據結果進行處理，用EBSD分析軟件對面掃描結果進行再處理，首先去除視場中的零解點、再去除奇異點和誤標點，獲得以馬氏體為基體的花樣質量圖，通過對晶界取向差的取值范圍0～62.5°進行調整，選取晶界取向差的取值范圍，進而勾勒出原奧氏體晶粒的輪廓；通過對馬氏體板條束與原奧氏體的晶界取向差進行分析，得到晶界取向差取值范圍為20～50°，由此計算出原奧氏體晶粒的尺寸。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中所述的樣品尺寸長度10～15mm，寬度5～10mm，厚度0.5～3mm。