[發(fā)明專利]感光組件及其形成方法、鏡頭模組、電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811288977.2
• 申請(qǐng)日: 2018-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN111131663B
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳達(dá)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號(hào): H04N5/225
• 分類號(hào): H04N5/225;G03B17/08
• 代理公司: 上海知錦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜;李麗

1.一種感光組件的形成方法，其特征在于，包括：

提供透光蓋板；

提供感光芯片，包括感光區(qū)以及環(huán)繞所述感光區(qū)的外圍區(qū)，所述外圍區(qū)形成有焊盤；

通過粘合層將所述透光蓋板貼裝在所述感光芯片上，所述粘合層由粘合材料層通過光刻工藝圖形化形成，所述粘合層位于所述外圍區(qū)，且所述透光蓋板、粘合層和感光芯片圍成容納所述感光區(qū)的空腔；

形成密封層，所述密封層保形覆蓋所述粘合層側(cè)壁和透光蓋板側(cè)壁，所述密封層增加了所述空腔的密封性，提高感光組件的防水能力，所述密封層的材料為環(huán)氧類膠、全氟癸基三氯硅烷、四氫辛基三氯硅烷、四氫辛基甲基二氯硅烷或十八烷基三氯硅烷；

形成所述密封層的步驟包括：進(jìn)行至少一次表面處理；其中，

所述表面處理的步驟包括：形成密封材料層，所述密封材料層保形覆蓋所述透光蓋板的頂部和側(cè)壁、所述粘合層的側(cè)壁、以及所述透光蓋板露出的感光芯片；采用無掩膜干法刻蝕工藝，去除所述透光蓋板的頂部、以及所述感光芯片上的密封材料層，保留所述粘合層側(cè)壁和透光蓋板側(cè)壁上的剩余密封材料層作為所述密封層；

或者，形成密封層，所述密封層保形覆蓋所述透光蓋板的頂部和側(cè)壁、所述粘合層的側(cè)壁、以及所述透光蓋板露出的感光芯片，所述密封層具有透光性，所述密封層增加了所述空腔的密封性，提高感光組件的防水能力，所述密封層的材料為全氟癸基三氯硅烷、四氫辛基三氯硅烷、四氫辛基甲基二氯硅烷或十八烷基三氯硅烷。

2.如權(quán)利要求1所述的感光組件的形成方法，其特征在于，所述表面處理的次數(shù)為1次至8次。

3.如權(quán)利要求1所述的感光組件的形成方法，其特征在于，利用分子氣相沉積工藝或旋涂工藝形成所述密封材料層，或者，所述密封層保形覆蓋所述透光蓋板的頂部和側(cè)壁、所述粘合層的側(cè)壁、以及所述透光蓋板露出的感光芯片的情況時(shí)，所述密封層利用分子氣相沉積工藝或旋涂工藝形成。

4.如權(quán)利要求3所述的感光組件的形成方法，其特征在于，所述分子氣相沉積工藝的參數(shù)包括：工藝時(shí)間為15分鐘至60分鐘，工藝溫度為20℃至100℃。

5.如權(quán)利要求1所述的感光組件的形成方法，其特征在于，所述密封層的透光率大于或等于98%。

6.如權(quán)利要求1所述的感光組件的形成方法，其特征在于，位于所述粘合層側(cè)壁和透光蓋板側(cè)壁的密封層厚度為10?至100nm。

7.如權(quán)利要求1所述的感光組件的形成方法，其特征在于，位于所述透光蓋板頂部的密封層厚度為10?至100?。

8.一種感光組件，其特征在于，包括：

感光芯片，包括感光區(qū)以及環(huán)繞所述感光區(qū)的外圍區(qū)，所述外圍區(qū)形成有焊盤；

透光蓋板，通過粘合層貼裝在所述感光芯片上，所述粘合層由粘合材料層通過光刻工藝圖形化形成，所述粘合層位于所述外圍區(qū)，且所述透光蓋板、粘合層和感光芯片圍成容納所述感光區(qū)的空腔；

密封層，保形覆蓋所述粘合層側(cè)壁和透光蓋板側(cè)壁，所述密封層增加了所述空腔的密封性，提高感光組件的防水能力，所述密封層的材料為環(huán)氧類膠、全氟癸基三氯硅烷、四氫辛基三氯硅烷、四氫辛基甲基二氯硅烷或十八烷基三氯硅烷。

9.如權(quán)利要求8所述的感光組件，其特征在于，所述密封層保形覆蓋所述透光蓋板的頂部和側(cè)壁、所述粘合層的側(cè)壁、以及所述透光蓋板露出的感光芯片。

10.如權(quán)利要求9所述的感光組件，其特征在于，所述密封層具有透光性。

11.如權(quán)利要求10所述的感光組件，其特征在于，所述密封層的透光率大于或等于98%。

12.如權(quán)利要求8或9所述的感光組件，其特征在于，位于所述粘合層側(cè)壁和透光蓋板側(cè)壁的密封層厚度為10?至100nm。