[發(fā)明專(zhuān)利]一種發(fā)光二極管外延片及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811288744.2
• 申請(qǐng)日: 2018-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109638128B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭炳磊;葛永暉;呂蒙普;李鵬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/32;H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發(fā)光二極管外延片，所述發(fā)光二極管外延片包括襯底、N型半導(dǎo)體層、有源層、電子阻擋層和P型半導(dǎo)體層，所述N型半導(dǎo)體層、所述有源層、所述電子阻擋層和所述P型半導(dǎo)體層依次層疊在所述襯底上，其特征在于，所述電子阻擋層包括(n+1)個(gè)第一子層和n個(gè)第二子層，n為正整數(shù)，所述(n+1)個(gè)第一子層和所述n個(gè)第二子層交替層疊設(shè)置；每個(gè)所述第一子層的材料采用P型摻雜的氮化鋁鎵，每個(gè)所述第二子層的材料采用摻雜鈮的氮化鎵。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述n個(gè)第二子層的厚度沿所述發(fā)光二極管外延片的層疊方向逐層減小。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第二子層的厚度為2nm～5nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第一子層的厚度為所述第二子層的厚度的5倍～10倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述n個(gè)第二子層中鈮的摻雜濃度沿所述發(fā)光二極管外延片的層疊方向逐層減小。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第二子層中鈮原子和鎵原子的數(shù)量比為3/7～4/6。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，1≤n≤10。

8.一種發(fā)光二極管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次形成N型半導(dǎo)體層、有源層、電子阻擋層和P型半導(dǎo)體層；

其中，所述電子阻擋層包括(n+1)個(gè)第一子層和n個(gè)第二子層，n為正整數(shù)，所述(n+1)個(gè)第一子層和所述n個(gè)第二子層交替層疊設(shè)置；每個(gè)所述第一子層的材料采用P型摻雜的氮化鋁鎵，每個(gè)所述第二子層的材料采用摻雜鈮的氮化鎵。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第二子層采用分子束外延工藝形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，采用分子束外延工藝形成所述第二子層，包括：

控制反應(yīng)室的真空度為10^-7Pa～10^-9Pa，所述襯底的溫度為550℃～750℃，以10^-3Pa～10^-5Pa的分壓驅(qū)動(dòng)鈮原子束、以10^-3Pa～10^-5Pa的分壓驅(qū)動(dòng)鎵原子束、以10^-2Pa～10^-4Pa的分壓驅(qū)動(dòng)氮原子束相互作用，形成所述第二子層。