[發明專利]像素結構、顯示基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201811287562.3
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109360848B
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 張亞嬌;孫少君;祝培濤;黃杰;孫曉午;王建樹
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 汪源;陳源

1.一種像素結構，其特征在于，包括發光單元，所述發光單元包括電致發光層和位于所述電致發光層上的上轉換發光層；

所述電致發光層用于發射不同光強的激發光；

所述上轉換發光層用于在不同光強的激發光的作用下，發射多種預定顏色的顯示光。

2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述上轉換發光層的材料為全色無機納米材料。

3.根據權利要求2所述的像素結構，其特征在于，所述上轉換發光層為透明上轉換發光層。

4.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述電致發光層的材料為紅外磷光材料或者近紅外磷光材料。

5.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述上轉換發光層的吸收光譜與所述電致發光層的發射光譜至少部分重疊。

6.根據權利要求5所述的像素結構，其特征在于，所述上轉換發光層的吸收光譜與所述電致發光層的發射光譜的重疊面積占比為50％。

7.根據權利要求1至6任一所述的像素結構，其特征在于，所述發光單元還包括第一電極、第二電極、電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層和空穴注入層，所述電子注入層、所述電子傳輸層、所述電致發光層、所述上轉換發光層、所述空穴傳輸層和所述空穴注入層位于所述第一電極和所述第二電極之間，且所述電致發光層和所述上轉換發光層位于所述電子傳輸層和所述空穴傳輸層之間；所述上轉換發光層位于所述電致發光層和所述空穴傳輸層之間。

8.一種顯示基板，其特征在于，包括TFT基板和位于TFT基板上的多個像素結構，所述像素結構包括權利要求1至7任一所述的像素結構。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求8所述的顯示基板。