[發明專利]一種發光二極管外延片及其制作方法

有效

• 申請號: 201811287271.4
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109638127B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 郭炳磊;王群;葛永暉;李鵬;胡加輝
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括襯底、電子提供層、有源層和空穴提供層，所述電子提供層、所述有源層和所述空穴提供層依次層疊在所述襯底上，其特征在于，所述空穴提供層包括(n+1)個第一子層和n個第二子層，n為正整數，所述(n+1)個第一子層和所述n個第二子層交替層疊設置；每個所述第一子層的材料采用P型摻雜的氮化鎵，每個所述第二子層的材料采用摻雜鈮的氮化鎵。

2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述n個第二子層的厚度沿所述發光二極管外延片的層疊方向逐層減小。

3.根據權利要求2所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述第二子層的厚度為5nm～15nm。

4.根據權利要求3所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述第一子層的厚度為所述第二子層的厚度的2倍～10倍。

5.根據權利要求1～4任一項所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述n個第二子層中鈮的摻雜濃度沿所述發光二極管外延片的層疊方向逐層減小。

6.根據權利要求5所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述第二子層中鈮原子和鎵原子的數量比為3/10～4/5。

7.根據權利要求1～4任一項所述的發光二極管外延片，其特征在于，1≤n≤10。

8.一種發光二極管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次形成電子提供層、有源層和空穴提供層；

其中，所述空穴提供層包括(n+1)個第一子層和n個第二子層，n為正整數，所述(n+1)個第一子層和所述n個第二子層交替層疊設置；每個所述第一子層的材料采用P型摻雜的氮化鎵，每個所述第二子層的材料采用摻雜鈮的氮化鎵。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第二子層采用分子束外延工藝形成。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，采用分子束外延工藝形成所述第二子層，包括：

控制反應室的真空度為10^-7Pa～10^-9Pa，所述襯底的溫度為550℃～750℃，以10^-3Pa～10^-5Pa的分壓驅動鈮原子束、以10^-3Pa～10^-5Pa的分壓驅動鎵原子束、以10^-2Pa～10^-4Pa的分壓驅動氮原子束相互作用，形成所述第二子層。