[發明專利]一種制作半導體元件的方法

有效

• 申請號: 201811286627.2
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN111128730B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 林伯璋;黃柏翰;陳致中;林俊賢;蔡世鴻;謝柏光
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作半導體元件的方法，包含：

形成鰭狀結構于基底上；

利用異丙醇(isopropyl alcohol)進行沖洗(rinse)制作工藝；

進行烘烤制作工藝；形成柵極氧化層于該鰭狀結構上；進行等離子體處理制作工藝以形成氧化層于該鰭狀結構以及該基底間；

進行第一清洗制作工藝去除該氧化層；

進行第二清洗制作工藝去除聚合物；以及

進行第三清洗制作工藝去除微粒。

2.如權利要求1所述的方法，另包含利用氧氣來進行該等離子體處理制作工藝。

3.如權利要求2所述的方法，其中該等離子體處理制作工藝的溫度介于攝氏135度至攝氏165度。

4.如權利要求2所述的方法，其中該等離子體處理制作工藝的壓力介于0.9托至1.1托。

5.如權利要求2所述的方法，其中該等離子體處理制作工藝的時間介于2.7分鐘至3.3分鐘。

6.如權利要求1所述的方法，另包含利用稀釋氫氟酸來進行該第一清洗制作工藝。

7.如權利要求1所述的方法，另包含利用臭氧來進行該第二清洗制作工藝。

8.如權利要求1所述的方法，另包含利用標準清洗溶液SC1來進行該第三清洗制作工藝。

9.如權利要求1所述的方法，其中該沖洗制作工藝的時間介于15秒至60秒。

10.如權利要求1所述的方法，其中該烘烤制作工藝的溫度介于攝氏50度至攝氏100度。

11.如權利要求1所述的方法，其中該烘烤制作工藝的時間介于5秒至120秒。

12.如權利要求1所述的方法，另包含進行現場蒸氣成長制作工藝(in-situ steamgeneration,ISSG)以形成該柵極氧化層。

13.如權利要求1所述的方法，其中該鰭狀結構包含環形，該方法另包含于形成該柵極氧化層之后進行鰭狀結構切割(fin cut)制作工藝將該鰭狀結構分隔為多個鰭狀結構。