[發(fā)明專(zhuān)利]一種全光固體超快探測(cè)芯片的腐蝕方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811286547.7
• 申請(qǐng)日: 2018-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109545681A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閆欣;何凱;高貴龍;鐘梓源;李少輝;汪韜;田進(jìn)壽;尹飛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/306
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 西安智邦專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 楊亞婷

1.一種全光固體超快探測(cè)芯片的腐蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)第一階段腐蝕：

1.1)將NH₄OH溶液和H₂O₂溶液進(jìn)行混合，形成第一階段腐蝕溶液(2)；

1.2)將待腐蝕芯片置于第一階段腐蝕溶液(2)中，在溫度為35-40℃的條件下，腐蝕GaAs襯底(5)，對(duì)GaAs襯底(5)進(jìn)行減薄；

2)第二階段腐蝕：

2.1)將檸檬酸溶液和H₂O₂溶液進(jìn)行混合，形成第二階段腐蝕溶液；

2.2)將步驟1.2)腐蝕后的芯片進(jìn)行清洗后置于第二階段腐蝕溶液中，在溫度為25-35℃的條件下，繼續(xù)腐蝕GaAs襯底(5)，直至將GaAs襯底(5)完全去除掉。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光固體超快探測(cè)芯片的腐蝕方法，其特征在于：步驟1.1)中的NH₄OH溶液的濃度為25％wt，H₂O₂溶液的濃度為30％wt，NH₄OH溶液與H₂O₂溶液的體積比為1:4。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全光固體超快探測(cè)芯片的腐蝕方法，其特征在于：步驟2.1)中的檸檬酸溶液為質(zhì)量比1：1的分析純檸檬酸與去離子水的配比溶液，H₂O₂溶液的濃度為30％wt，檸檬酸溶液和H₂O₂溶液的體積比為4：1。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的全光固體超快探測(cè)芯片的腐蝕方法，其特征在于：步驟1.2)第一階段腐蝕后芯片的GaAs襯底(5)厚度為20-50um。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的全光固體超快探測(cè)芯片的腐蝕方法，其特征在于：步驟1.2)和步驟2.2)的腐蝕過(guò)程中，伴隨有攪拌，攪拌的速率為5分鐘一次。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的全光固體超快探測(cè)芯片的腐蝕方法，其特征在于：

步驟1.1)還包括采用H₃PO₄將第一階段腐蝕溶液(2)的PH值調(diào)節(jié)到9的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一所述的全光固體超快探測(cè)芯片的腐蝕方法，其特征在于：

在步驟1)之前，還包括對(duì)待腐蝕芯片進(jìn)行固定的步驟，具體是：

A)、通過(guò)應(yīng)力計(jì)算及探測(cè)光透過(guò)率對(duì)比，并結(jié)合后端測(cè)試需求，采用與待腐蝕芯片相匹配的石英片(3)作為支撐載體；真空環(huán)境下采用紫外固化膠將待腐蝕芯片固定于石英片(3)上；

B)采用夾具(1)將帶有所述待腐蝕芯片的石英片(3)固定，此時(shí)待腐蝕芯片的GaAs襯底(5)垂直向下。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的全光固體超快探測(cè)芯片的腐蝕方法，其特征在于：步驟A)中的石英片(3)的厚度為2mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的全光固體超快探測(cè)芯片的腐蝕方法，其特征在于：步驟1.1)中的紫外固化膠厚度為20-30μm，固化溫度45-60℃。