[發(fā)明專利]一種錫銻硫薄膜的化學(xué)浴制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811286163.5 | 申請日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN109545659B | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王威;張桂湘;丁玲;王江圖;咸貴陽;王夢琴 | 申請(專利權(quán))人: | 金陵科技學(xué)院 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京知識律師事務(wù)所 32207 | 代理人: | 王小君;陳旭 |
| 地址: | 211169 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 錫銻硫 薄膜 化學(xué) 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種錫銻硫薄膜的化學(xué)浴制備方法,其包括如下步驟:(a)襯底清洗與預(yù)處理;(b)化學(xué)浴溶液(含有Sn2+、S2?、Sb3+的混合溶液)配制;(c)采用化學(xué)浴法在水浴鍋中沉積錫銻硫薄膜;(d)在氮氣氣氛或硫氣氛下退火制備高質(zhì)量錫銻硫薄膜。本發(fā)明所提供的低成本的化學(xué)浴法制備錫銻硫薄膜不需要昂貴的設(shè)備且原材料易得,操作簡單,能夠適合于任何形狀和性質(zhì)的襯底,控制好各工藝可以制備出具有優(yōu)異光電性能的錫銻硫薄膜,為制備低成本且高效的太陽電池吸收層薄膜材料奠定基礎(chǔ)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光電功能材料領(lǐng)域,具體地說,涉及一種錫銻硫薄膜的化學(xué)浴制備方法。
背景技術(shù)
可再生能源(太陽能,風(fēng)能,生物燃料的水力發(fā)電,地?zé)崮茉春秃Q竽茉?的供應(yīng)占世界總能源需求的14%。可再生能源清潔且用之不竭。可再生能源的概念中最重要的兩點是:第一:要求提供可再生能源的源頭應(yīng)該是巨大的、無限制的;第二:從整體技術(shù)效率而言,要有明顯的安全保障性。以這兩點作為判據(jù),太陽能來源無窮無盡,并具有穩(wěn)定性,其技術(shù)與現(xiàn)有電力的技術(shù)完全兼容,同時呈現(xiàn)出很高的安全保障性。這表明它比其他可再生能源在技術(shù)應(yīng)用方面有更大的潛力,充分說明太陽能的利用在可再生能源領(lǐng)域中的重要地位。正因如此,光伏發(fā)電成為可靠且長壽的發(fā)電技術(shù)。光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,太陽電池的種類不斷增多,應(yīng)用范圍的日益廣闊等,都是光伏發(fā)電市場規(guī)模逐步擴大的重要成因。
硅材料是現(xiàn)今太陽電池的主導(dǎo)材料,但其生產(chǎn)成本過高,隨著光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,薄膜太陽能電池表現(xiàn)出了極大的潛力。因此,科研人員一直在試圖尋找一種低成本且環(huán)保的太陽電池材料和制備方法。碲化鎘多晶薄膜電池的轉(zhuǎn)換效率高、成本低,并且也易于大規(guī)模生產(chǎn),但由于鎘有劇毒,會對環(huán)境造成嚴(yán)重的污染。砷化鎵化合物電池轉(zhuǎn)換效率可達(dá)28%,并且砷化鎵化合物材料具有十分理想的光學(xué)帶隙以及高的吸收率,但是砷化鎵材料的價格不菲,因為在很大程度上限制了砷化鎵電池的普及。錫銻硫薄膜作為同類材料,錫銻硫是一種Ⅳ-Ⅴ-Ⅵ族硫化物半導(dǎo)體材料,毒性較低且價格便宜。錫銻硫薄膜的直接禁帶寬度為1.2eV,接近于半導(dǎo)體太陽能電池最適宜的禁帶寬度(1.5eV)且?guī)段障禂?shù)在105cm-1以上,具有較好的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性。錫、銻、硫這三種元素原料豐富,且不會對環(huán)境造成有害影響,因此是一種很有前景的太陽電池吸收層材料。
當(dāng)前,錫銻硫薄膜的制備方法主要是熱蒸發(fā)法,制作方法簡單,但是需要大型真空設(shè)備,設(shè)備成本較高,從而增加了材料制備成本。采用化學(xué)浴法制備錫銻硫薄膜較之熱蒸發(fā)法有以下優(yōu)點:
(1)化學(xué)浴裝置較為簡單,設(shè)備成本較低;
(2)制備同一種薄膜可以采用不同的化學(xué)反應(yīng),有意識的改變和調(diào)節(jié)反應(yīng)物的成分,又能方便控制成分和特性,靈活性較大;
(3)成膜所需的反應(yīng)原材料一般較易獲得,而且適合于多種形狀和性質(zhì)的襯底。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提出一種錫銻硫薄膜制備的新方法——化學(xué)浴法,該方法無需熱蒸發(fā)設(shè)備,大大降低了生產(chǎn)成本,而且簡單易操作,適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。制備錫銻硫薄膜所用的材料都是低毒、無污染的,符合可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略,具有良好的應(yīng)用前景。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種錫銻硫薄膜的化學(xué)浴制備方法,包括如下步驟:
(1)襯底的清洗:依次采用肥皂水、丙酮、無水乙醇以及去離子水超聲清洗襯底;
(2)襯底的預(yù)處理:利用連續(xù)離子吸附工藝,在襯底上預(yù)先沉積一層厚度為5-20nm的SnS薄膜,以提高后續(xù)薄膜的黏附性。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





