[發明專利]一種SiC-鐵氧體/碳質材料高溫吸波復合材料及其制備方法有效
| 申請號: | 201811284361.8 | 申請日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN109346848B | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發明(設計)人: | 李季;劉繼鵬;楊春暉;張磊 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號: | H01Q17/00 | 分類號: | H01Q17/00 |
| 代理公司: | 哈爾濱市文洋專利代理事務所(普通合伙) 23210 | 代理人: | 王艷萍 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 sic 鐵氧體 材料 高溫 復合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種SiC-鐵氧體/碳質材料高溫吸波復合材料,其特征在于該材料是由鐵氧體、碳化硅和碳質材料組成,其中碳質材料為石墨烯、還原石墨烯、氧化石墨烯、導電炭黑或碳納米管;碳質材料為石墨烯、還原石墨烯或氧化石墨烯,鐵氧體與碳化硅負載在石墨烯片層上;碳質材料為導電炭黑,導電炭黑與鐵氧體和碳化硅均勻混合;碳質材料為碳納米管,鐵氧體、碳化硅與碳納米管均勻混合。
2.根據權利要求1所述的一種SiC-鐵氧體/碳質材料高溫吸波復合材料,其特征在于所述的鐵氧體為氧化鎳、氧化鐵或氧化鈷。
3.制備權利要求1所述的一種SiC-鐵氧體/碳質材料高溫吸波復合材料的方法,其特征在于該方法按以下步驟進行:
一、碳化硅表面預處理:
a、將粒徑1~10μm的碳化硅加入到碳化硅球磨機球磨12h~24h;放入管式爐中,在空氣或者氮氣下,升溫至500~600℃氧化處理2h~4h,達到去除表面雜質的目的;
b、將碳化硅分散在酸性親水溶液中攪拌2~3h,然后超聲分散1~2h,微波輻射1h~2h來提高其親水性;然后用蒸餾水洗滌,過濾,在15~30℃條件下晾干,得到親水性碳化硅;
二、一鍋法合成SiC-鐵氧體/碳質材料:
a、稱取親水性碳化硅、制備鐵氧體的可溶性鹽、氟化物、沉淀劑、碳質材料、硅烷偶聯劑、醇溶劑和去離子水,攪拌1~2h,超聲分散30min~1h,得到混合液;
b、將混合液轉入高溫反應釜中,以2℃~4℃/min的速率升溫到120℃~150℃并保溫4h~6h,反應結束后,用水和醇溶液交換離心清洗干凈人,然后放在真空干燥箱中干燥,得到前驅體;
c、在空氣或氮氣下,將前驅體放在350~450℃管式爐中焙燒2h~4h,再冷卻至室溫,得到SiC-鐵氧體/碳質材料高溫吸波復合材料。
4.根據權利要求3所述的一種SiC-鐵氧體/碳質材料高溫吸波復合材料的制備方法,其特征在于步驟一b中所述的酸性親水溶液為體積濃度為10%~20%的氫氟酸、體積濃度為10%~20%的濃鹽酸,體積濃度為20%~30%的濃硝酸,體積濃度為40%~50%的濃硫酸、苯六甲酸、氮硫方酸、三氯乙酸、三硝基苯磺酸、三氟甲磺酸和三氟乙酸中的一種或幾種的組合。
5.根據權利要求3或4所述的一種SiC-鐵氧體/碳質材料高溫吸波復合材料的制備方法,其特征在于步驟二a中所述的制備鐵氧體的可溶性鹽為鎳鹽、鐵鹽或鈷鹽。
6.根據權利要求3或4所述的一種SiC-鐵氧體/碳質材料高溫吸波復合材料的制備方法,其特征在于所述的鎳鹽為六水氯化鎳、六水硫酸鎳、六水硝酸鎳的一種或幾種;鐵鹽為六水氯化鐵、七水硫酸亞鐵、九水硝酸鐵的一種或幾種;鈷鹽為六水氯化鈷、七水硫酸鈷、六水硝酸鈷的一種或幾種。
7.根據權利要求3或4所述的一種SiC-鐵氧體/碳質材料高溫吸波復合材料的制備方法,其特征在于所述的氟化物為氟化氨、氟化鈉、氟化鉀、氟化銀或氟化鋁。
8.根據權利要求3或4所述的一種SiC-鐵氧體/碳質材料高溫吸波復合材料的制備方法,其特征在于所述的沉淀劑為尿素、氫氧化鈉、氨水,碳酸鈉,碳酸鉀、碳酸氫鈉、磷酸氫二鈉、檸檬酸鈉或檸檬酸鉀。
9.根據權利要求3或4所述的一種SiC-鐵氧體/碳質材料高溫吸波復合材料的制備方法,其特征在于所述的碳質材料為石墨烯、還原石墨烯、氧化石墨烯、導電炭黑或碳納米管。
10.根據權利要求3或4所述的一種SiC-鐵氧體/碳質材料高溫吸波復合材料的制備方法,其特征在于步驟二a中,親水性碳化硅與石墨烯質量比為1:(0.25~0.5);制備鐵氧體的可溶性鹽、氟化物與沉淀劑的摩爾比為1:(2~3):(5~8);親水性碳化硅與制備鐵氧體的可溶性鹽的摩爾比為1:(1~2);混合液中硅烷偶聯劑的體積百分濃度為0.25~0.5%;親水性碳化硅的質量與醇溶劑的體積的比為1g:(40~60)mL;親水性碳化硅的質量與去離子水的體積的比為1g:(40~60)mL。
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