[發明專利]半導體裝置以及提供半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201811284243.7
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109801879A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 洪俊九;徐康一;博爾納·奧布拉多維奇
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

1.一種提供半導體裝置的方法，包括：

提供多個鰭使得所述多個鰭中的每一個的第一部分由掩模覆蓋且所述多個鰭中的每一個的第二部分通過所述掩模暴露；以及

在高于一百攝氏度且不超過六百攝氏度的至少一種退火溫度下在體積增大環境中執行退火，所述多個鰭中的每一個的所述第二部分在所述退火期間暴露使得所述多個鰭中的每一個的所述第二部分經歷體積膨脹。

2.根據權利要求1所述的提供半導體裝置的方法，其中所述體積增大環境是氫氣。

3.根據權利要求2所述的提供半導體裝置的方法，其中執行所述退火的步驟還包含：

執行所述退火持續至少十秒且不超過五百秒的退火時間。

4.根據權利要求3所述的提供半導體裝置的方法，其中所述退火時間是至少二十秒且不超過四百秒。

5.根據權利要求2所述的提供半導體裝置的方法，其中所述至少一種退火溫度是至少兩百攝氏度且不超過五百攝氏度。

6.根據權利要求2所述的提供半導體裝置的方法，其中所述多個鰭中的每一個的所述第二部分包含溝道區使得所述溝道區在所述退火期間經歷膨脹。

7.根據權利要求2所述的提供半導體裝置的方法，其中所述多個鰭中的每一個的所述第二部分包含源極區域以及漏極區域中的至少一個使得所述源極區域以及所述漏極區域中的至少一個在所述退火期間經歷膨脹。

8.根據權利要求2所述的提供半導體裝置的方法，其中提供所述多個鰭的步驟還包含：

在半導體層上提供硬掩模，所述硬掩模暴露所述半導體層的一部分；

移除所述半導體層的暴露部分以形成所述多個鰭，所述多個鰭中的每一個具有頂面，所述硬掩模存在于所述頂面上；

在所述半導體層的移除部分上提供底部源極/漏極外延層；以及

在所述底部源極/漏極外延層上提供底部間隔件，所述底部間隔件以及所述硬掩模形成所述掩模。

9.根據權利要求2所述的提供半導體裝置的方法，其中提供所述多個鰭的步驟還包含：

在半導體層上提供硬掩模，所述硬掩模暴露所述半導體層的一部分；

移除所述半導體層的暴露部分以形成所述多個鰭，所述多個鰭中的每一個具有頂面，所述硬掩模存在于所述頂面上；

移除所述硬掩模；

在所述半導體層的移除部分上提供底部源極/漏極外延層；以及

在所述底部源極/漏極外延層上提供凹陷的底部間隔件，所述凹陷的底部間隔件形成所述掩模。

10.一種提供半導體裝置的方法，包括：

提供多個鰭使得所述多個鰭中的每一個的第一部分由掩模覆蓋且所述多個鰭中的每一個的第二部分通過所述掩模暴露，所述多個鰭中的每一個由硅形成；以及

在至少一種退火溫度下在氫環境中執行退火持續退火時間，所述至少一種退火溫度為至少兩百攝氏度且不超過五百攝氏度，所述退火時間為至少二十秒且不超過四百秒，所述多個鰭中的每一個的所述第二部分在所述退火期間暴露使得所述多個鰭中的每一個的所述第二部分經歷體積膨脹，所述第二部分為溝道區以及頂部源極/漏極區中的至少一個。

11.一種半導體裝置，包括：

多個鰭，所述多個鰭中的每一個具有溝道區以及頂部源極/漏極區，所述多個鰭以及所述頂部源極/漏極區中的至少一個具有擴展面積；

多個柵極，覆蓋所述多個鰭的一部分；

多個氧化層，存在于所述多個鰭與多個柵極之間；以及

多個源極/漏極區。