[發(fā)明專利]半導體存儲器件

在審

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• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN109841630A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設計）人: 李基碩;金俊秀;金熙中;金奉秀;山田悟;李圭弼;韓成熙;洪亨善;黃有商
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11526
• 分類號: H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體存儲器件，包括：

堆疊結(jié)構(gòu)，包括垂直地堆疊在襯底上的多個層，所述多個層的每個包括：

順序堆疊的第一電介質(zhì)層、半導體層和第二電介質(zhì)層；以及

第一導電線，在所述第二電介質(zhì)層中并且在第一方向上延伸；

第二導電線，垂直地延伸穿過所述堆疊結(jié)構(gòu)；以及

電容器，在所述堆疊結(jié)構(gòu)中并且與所述第二導電線間隔開，所述電容器包括第一電極，

其中所述半導體層包括半導體圖案，所述半導體圖案在所述第一導電線與所述襯底之間在交叉所述第一方向的第二方向上延伸，

其中所述第二導電線在沿所述第一方向彼此相鄰的成對的所述半導體圖案之間，以及

其中所述半導體圖案中的至少一個的一端電連接到所述第一電極。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述半導體層還包括延伸部分，所述延伸部分在所述第一導電線與所述襯底之間在所述第一方向上延伸，

其中所述半導體圖案在所述第二方向上從所述延伸部分延伸。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體存儲器件，其中所述堆疊結(jié)構(gòu)包括彼此相鄰的第一堆疊結(jié)構(gòu)和第二堆疊結(jié)構(gòu)，

其中公共源極線在所述第一堆疊結(jié)構(gòu)與所述第二堆疊結(jié)構(gòu)之間，所述公共源極線分別電連接到所述第一堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二堆疊結(jié)構(gòu)的所述半導體層的所述延伸部分。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述半導體圖案的每個包括第一雜質(zhì)區(qū)域、第二雜質(zhì)區(qū)域、以及在所述第一雜質(zhì)區(qū)域與所述第二雜質(zhì)區(qū)域之間的溝道區(qū)域，

其中所述第一導電線電連接到所述半導體圖案中的所述至少一個的所述第一雜質(zhì)區(qū)域，以及

其中所述第一電極電連接到所述半導體圖案中的所述至少一個的所述第二雜質(zhì)區(qū)域。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述電容器包括：

多個第一電極；

在所述多個第一電極上的電介質(zhì)層；以及

在所述電介質(zhì)層上的第二電極。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第二導電線包括多個第二導電線，以及

其中所述多個第二導電線中的成對的第二導電線與所述半導體圖案中的所述至少一個的相反側(cè)相鄰。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述多個層的所述半導體圖案彼此垂直地重疊，以及

其中所述第二導電線垂直地延伸，并且與所述多個層的所述半導體圖案的側(cè)壁相鄰。

8.一種半導體存儲器件，包括：

堆疊結(jié)構(gòu)，包括垂直地堆疊在襯底上的多個層；以及

第二導電線，穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)并且垂直地延伸，

其中所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述多個層的每個包括：

在第二方向上延伸的半導體圖案，所述半導體圖案包括第一雜質(zhì)區(qū)域、第二雜質(zhì)區(qū)域、以及在所述第一雜質(zhì)區(qū)域與所述第二雜質(zhì)區(qū)域之間的溝道區(qū)域；

第一導電線，電連接到所述第一雜質(zhì)區(qū)域，并且在交叉所述第二方向的第一方向上延伸；以及

數(shù)據(jù)存儲元件，電連接到所述第二雜質(zhì)區(qū)域，以及

其中所述第二導電線與所述半導體圖案的所述溝道區(qū)域相鄰。

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體存儲器件，其中所述多個層的每個的所述半導體圖案包括多個半導體圖案，以及

其中所述多個層的每個中的所述多個半導體圖案沿所述第一方向布置。

10.根據(jù)權利要求8所述的半導體存儲器件，其中所述多個層的所述半導體圖案彼此垂直地重疊，以及

其中所述第二導電線垂直地延伸，并且與所述多個層的所述半導體圖案的所述溝道區(qū)域相鄰。

11.根據(jù)權利要求8所述的半導體存儲器件，其中所述第一導電線在所述第一雜質(zhì)區(qū)域的頂表面上。