[發明專利]包括可選墊互連件的半導體裝置

有效

• 申請號: 201811284045.0
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN109935562B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 陳含笑;廖致欽
• 申請（專利權）人: 西部數據技術公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60;H01L25/065
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種半導體管芯，包括：

多個管芯接合焊盤，包括：

第一管芯接合焊盤，和

第二管芯接合焊盤，所述第二管芯接合焊盤被配置為向所述第一管芯接合焊盤提供功能冗余；和

金屬互連件，所述金屬互連件具有第一端和第二端，所述第一端連接至所述第一管芯接合焊盤，所述第二端與所述第一端相對且連接至所述第二管芯接合焊盤的至少一部分。

2.根據權利要求1所述的半導體管芯，其中所述第二管芯接合焊盤包括第一部分和第二部分，所述第二部分與所述第一部分電隔離。

3.根據權利要求2所述的半導體管芯，其中所述第一管芯接合焊盤電耦合至所述第二管芯接合焊盤的所述第一部分。

4.根據權利要求1所述的半導體管芯，其中所述第二管芯接合焊盤具有單個均勻表面層。

5.根據權利要求1所述的半導體管芯，其中所述第一管芯接合焊盤和所述第二管芯接合焊盤沿所述半導體管芯的邊緣彼此相鄰。

6.一種半導體管芯，包括：

第一主表面；

第二主表面，所述第二主表面與所述第一主表面相對；

集成電路，所述集成電路與所述第一主表面相鄰形成；

多個管芯接合焊盤，所述多個管芯接合焊盤包括：

第一管芯接合焊盤，所述第一管芯接合焊盤電耦合至第一集成電路，和

第二管芯接合焊盤，所述第二管芯接合焊盤被配置為任選地充當所述第一管芯接合焊盤的冗余管芯接合焊盤，所述第二管芯接合焊盤包括：

第一部分，所述第一部分電耦合至所述第一管芯接合焊盤，和

第二部分，所述第二部分與所述第一部分電隔離，所述第二部分具有圓形占用面積并具有從其延伸的電引線，除了所述第一部分與從所述第二部分延伸的所述電引線電隔離之外，所述第一部分圍繞所述第二部分。

7.根據權利要求6所述的半導體管芯，其中當電連接所述第二管芯接合焊盤的所述第一部分和所述第二部分時，所述第二管芯接合焊盤充當所述第一管芯接合焊盤的冗余管芯接合焊盤。

8.根據權利要求6所述的半導體管芯，其中在所述第二管芯接合焊盤的所述第一部分和所述第二部分保持彼此電隔離的情況下，所述第二管芯接合焊盤不充當所述第一管芯接合焊盤的冗余管芯接合焊盤。

9.根據權利要求6所述的半導體管芯，還包括金屬互連件，所述金屬互連件在所述第一管芯接合焊盤與所述第二管芯接合焊盤的所述第一部分之間延伸、用于將所述第一管芯接合焊盤電耦合至所述第二管芯接合焊盤的所述第一部分。

10.根據權利要求9所述的半導體管芯，其中所述金屬互連件由相同的材料形成，且與所述第一管芯接合焊盤和所述第二管芯接合焊盤相對于所述半導體管芯的第一主表面處于相同的層級。

11.根據權利要求9所述的半導體管芯，其中所述金屬互連件由再分布層形成。

12.根據權利要求6所述的半導體管芯，其中所述半導體管芯是NAND閃存半導體管芯。

13.一種半導體裝置，包括：

襯底；

安裝到所述襯底上的多個堆疊半導體管芯，所述堆疊半導體管芯的半導體管芯包括：

第一管芯接合焊盤，

第二管芯接合焊盤，所述第二管芯接合焊盤被配置為任選地充當所述第一管芯接合焊盤的冗余管芯接合焊盤，以及

導電材料，其中當所述導電材料被施加在所述第二管芯接合焊盤的表面上時，所述第二管芯接合焊盤充當所述第一管芯接合焊盤的冗余管芯接合焊盤。