[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的制造方法及發(fā)光二極管芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811283379.6
• 申請(qǐng)日: 2018-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109326694B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒微微;徐洲;李波;杭偉;趙鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州乾照光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/10
• 分類號(hào): H01L33/10;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/06;H01L21/18;H01L21/78
• 代理公司: 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 徐彥圣

1.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在砷化鎵襯底上外延制作外延片；

在所述外延片表面生長(zhǎng)反射鏡介質(zhì)膜層，在所述反射鏡介質(zhì)膜層上制作介質(zhì)孔；

在所述反射鏡介質(zhì)膜層表面制作全角反射鏡ODR金屬層，所述ODR金屬層通過(guò)所述介質(zhì)孔與所述外延片的P型窗口層相連；

制作硅片，在所述ODR金屬層的表面以及所述硅片的第一表面分別鍍鍵合層，所述鍵合層包括鈦金屬層和錫鎳結(jié)構(gòu)層；

將所述ODR金屬層上的所述鍵合層與所述硅片上的所述鍵合層在預(yù)設(shè)的條件下進(jìn)行鍵合，形成片源；

去除所述外延片的砷化鎵襯底、緩沖層以及腐蝕截止層，暴露出所述外延片的N型歐姆接觸層；

在所述N型歐姆接觸層上沉積二氧化硅，形成二氧化硅膜層，在所述二氧化硅膜層上，通過(guò)正膠光刻工藝，制作出第一光刻圖形；

根據(jù)所述第一光刻圖形，刻蝕所述二氧化硅膜層以及所述N型歐姆接觸層，去掉刻蝕后的所述片源表面的正膠以及所述二氧化硅膜層，暴露出刻蝕后的所述N型歐姆接觸層，刻蝕后的所述N型歐姆接觸層為第二N型歐姆接觸層；

在所述第二N型歐姆接觸層上，光刻定義出N面電極圖形，根據(jù)N面電極圖形制作N面電極；

在制作了所述N面電極后的所述片源上光刻出所述片源的臺(tái)面圖形，根據(jù)所述臺(tái)面圖形，干蝕刻出所述片源的切割道，所述切割道的深度至少要達(dá)到所述外延片的P型窗口層；

在所述外延片上的N面粗化層光刻出粗化圖形，根據(jù)所述粗化圖形，通過(guò)濕法粗化的方法將所述外延片的N面粗化層的表面粗化；

在粗化后的所述片源的側(cè)表面以及所述N面粗化層的邊緣沉積保護(hù)層；

在所述硅片的第二表面，將所述硅片減薄，在減薄后的所述硅片的第二表面制作P面電極；

對(duì)制作所述P面電極后的所述片源進(jìn)行切割及裂片形成發(fā)光二極管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在砷化鎵襯底上外延制作外延片，包括：

在所述砷化鎵襯底上依次外延制作緩沖層、腐蝕截止層、N型歐姆接觸層、N面粗化層、N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱有源層、P型限制層、過(guò)渡層、P型窗口層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述反射鏡介質(zhì)膜層表面制作ODR金屬層，包括：

在所述反射鏡介質(zhì)膜層的表面依次鍍金、鋅化金、金，形成所述ODR金屬層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述ODR金屬層的表面以及所述硅片的第一表面分別鍍鍵合層，包括：

在所述ODR金屬層表面以及所述硅片的第一表面鍍鈦，形成所述鈦金屬層，在所述鈦金屬層上依次鍍錫、鎳，形成所述錫鎳結(jié)構(gòu)層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述鈦金屬層的厚度范圍為2-5千埃，所述錫鎳結(jié)構(gòu)層中，錫的厚度范圍為2-7微米，鎳的厚度范圍為1-4微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述錫鎳結(jié)構(gòu)層包括：錫鎳第一結(jié)構(gòu)層以及位于所述錫鎳第一結(jié)構(gòu)層上的錫鎳第二結(jié)構(gòu)層；

所述錫鎳第一結(jié)構(gòu)層包括錫金屬第一層、鎳金屬第一層；

所述錫鎳第二結(jié)構(gòu)層包括錫金屬第二層、鎳金屬第二層，所述錫金屬第二層位于所述鎳金屬第一層上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述鍵合層中所述鈦金屬層的厚度范圍為2-5千埃，所述錫金屬第一層的厚度范圍為1-3微米，所述鎳金屬第一層的厚度范圍為1-3微米，所述錫金屬第二層的厚度范圍為2-7微米，所述鎳金屬第二層的厚度范圍為1-3微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，所述將所述ODR金屬層上的所述鍵合層與所述硅片上的所述鍵合層在預(yù)設(shè)的條件下進(jìn)行鍵合，包括：

將所述ODR金屬層上的所述鍵合層與所述硅片的所述鍵合層相對(duì)放置在鍵合機(jī)臺(tái)中，選取預(yù)設(shè)的鍵合程序，驅(qū)動(dòng)所述鍵合機(jī)臺(tái)按照預(yù)設(shè)的條件開(kāi)始鍵合。