[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于跨導(dǎo)單元的低噪聲像素電路結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811282037.2
• 申請(qǐng)日: 2018-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109474795A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高靜;張德志;聶凱明;徐江濤;史再峰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H04N5/374
• 分類(lèi)號(hào): H04N5/374;H04N5/3745
• 代理公司: 天津市三利專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 12107
• 代理人: 韓新城

1.一種基于跨導(dǎo)單元的低噪聲像素電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

晶體管M1，晶體管M2，晶體管M3，晶體管M4，晶體管M1的漏端與晶體管M2的源端相接，晶體管M1的源端與光電二極管PPD的一端相接，光電二極管PPD另一端接地，晶體管M2的漏端接FD節(jié)點(diǎn)復(fù)位電平V_res，晶體管M3的柵極接在FD節(jié)點(diǎn)而源端接在電源V_DD上，形成一個(gè)Gm單元；晶體管M1為T(mén)G管，控制曝光電荷向FD節(jié)點(diǎn)的轉(zhuǎn)移，晶體管M2為FD節(jié)點(diǎn)的復(fù)位晶體管，晶體管M3的漏端接在晶體管M4的源端，晶體管M4為行選管SEL，柵極接開(kāi)關(guān)信號(hào)，晶體管M4漏端接在開(kāi)關(guān)SH的一端，開(kāi)關(guān)SH的另一端接采樣保持電容C_s的一端，，采樣保持電容C_s的另一端接地，并且通過(guò)開(kāi)關(guān)RST接電容復(fù)位電平V_RST，通過(guò)開(kāi)關(guān)READ接電壓輸出V_pix。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于跨導(dǎo)單元的低噪聲像素電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的晶體管M1與晶體管M2為NMOS管，所述晶體管M3與晶體管M4為PMOS管。

3.一種基于跨導(dǎo)單元的低噪聲像素電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：晶體管M1，晶體管M2，晶體管M3，晶體管M4，晶體管M1的漏端與晶體管M2的源端相接，晶體管M1的源端與光電二極管PPD的一端相接，光電二極管PPD另一端接地，晶體管M2的漏端接FD節(jié)點(diǎn)復(fù)位電平V_res，晶體管M3的柵極接在FD節(jié)點(diǎn)而源端接在電源V_DD上，形成一個(gè)Gm單元；晶體管M1為T(mén)G管，控制曝光電荷向FD節(jié)點(diǎn)的轉(zhuǎn)移，晶體管M2為FD節(jié)點(diǎn)的復(fù)位晶體管，晶體管M3的漏端接在晶體管M4的源端，晶體管M4為行選管SEL，柵極接開(kāi)關(guān)信號(hào)，晶體管M4漏端接在復(fù)位信號(hào)通路與曝光信號(hào)通路的一端；復(fù)位信號(hào)通路與曝光信號(hào)通路的電路相同，另一端電壓減法電路的一端連接，最壓減法電路的另一端接電壓輸出V_pix，復(fù)位信號(hào)通路與曝光信號(hào)通路包括有與晶體管M4的源端相接的開(kāi)關(guān)SH的一端，開(kāi)關(guān)SH的另一端接采樣保持電容C_s的一端，，采樣保持電容C_s的另一端接地，并且通過(guò)開(kāi)關(guān)RST接電容復(fù)位電平V_RST，通過(guò)開(kāi)關(guān)READ接電壓減法電路的一端。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述基于跨導(dǎo)單元的低噪聲像素電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的晶體管M1與晶體管M2為NMOS管，所述晶體管M3與晶體管M4為PMOS管。