[發(fā)明專利]微反應(yīng)電極復(fù)合芯片、微流體混合方法及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811282036.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109248720A | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沙俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 常州那央生物科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | B01L3/00 | 分類號(hào): | B01L3/00;B01J19/00 |
| 代理公司: | 常州市權(quán)航專利代理有限公司 32280 | 代理人: | 蔣鳴娜 |
| 地址: | 213016 江蘇省常*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 流體 微反應(yīng)通道 反應(yīng)復(fù)合 芯片 電化學(xué)反應(yīng) 電極組件 反應(yīng)效率 耦合電場(chǎng) 微流道 微流體 制備 層疊設(shè)置 單元結(jié)束 反應(yīng)電極 復(fù)合芯片 混合效率 立體交叉 立體空間 平面空間 高流速 收窄 壓降 連通 通電 保證 占用 流動(dòng) 出口 | ||
1.一種微反應(yīng)復(fù)合芯片,其特征在于,包括微反應(yīng)通道單元和適于產(chǎn)生耦合電場(chǎng)的電極組件;
流體在所述微反應(yīng)通道單元內(nèi)流動(dòng)時(shí)經(jīng)過(guò)耦合電場(chǎng),以使流體產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的微反應(yīng)復(fù)合芯片,其特征在于,
所述電極組件包括至少一對(duì)正、負(fù)電極,且位于所述微反應(yīng)復(fù)合芯片上;其中
所述微反應(yīng)通道單元具有入液口和出液口,以及
所述正電極或負(fù)電極設(shè)置在微反應(yīng)通道單元的入液口處;所述負(fù)電極或正電極設(shè)置在微反應(yīng)通道單元的出液口處。
3.如權(quán)利要求1所述的微反應(yīng)復(fù)合芯片,其特征在于,
所述微反應(yīng)通道單元包括:兩個(gè)上下層疊設(shè)置的微流道,并且兩微流道相互連通,以使兩微流道內(nèi)的流體相互混合。
4.如權(quán)利要求3所述的微反應(yīng)復(fù)合芯片,其特征在于,
所述電極組件包括至少一對(duì)正、負(fù)電極,且位于所述微反應(yīng)復(fù)合芯片上;以及
兩微流道之間設(shè)有一組對(duì)流孔,所述一組對(duì)流孔包括兩個(gè)對(duì)流孔,以使兩微流道內(nèi)的流體往返交叉混合;
在該組對(duì)流孔中,一個(gè)所述對(duì)流孔內(nèi)設(shè)置有所述正電極,另一個(gè)所述對(duì)流孔內(nèi)設(shè)置有所述負(fù)電極。
5.如權(quán)利要求3所述的微反應(yīng)復(fù)合芯片,其特征在于,
所述電極組件包括至少一對(duì)正、負(fù)電極,且位于所述微反應(yīng)復(fù)合芯片上;以及
所述微流道呈L形;
所述正電極位于上部/下部的所述微流道的直流部處;所述負(fù)電極位于下部/上部的所述微流道的直流部處。
6.如權(quán)利要求3所述的微反應(yīng)復(fù)合芯片,其特征在于,
所述電極組件包括至少一對(duì)正、負(fù)電極,且位于所述微反應(yīng)復(fù)合芯片上;以及
所述微流道呈L形,并且一微流道的流通盡頭處設(shè)置有一個(gè)與另一微流道相互連通的引流端頭,
所述正電極位于上部/下部的所述微流道的所述引流端頭處;所述負(fù)電極位于下部/上部的所述微流道的所述引流端頭處。
7.如權(quán)利要求3所述的微反應(yīng)復(fù)合芯片,其特征在于,
所述電極組件包括至少一對(duì)正、負(fù)電極,且位于所述微反應(yīng)復(fù)合芯片上;以及
所述微流道呈L形,并且一微流道的流通盡頭處設(shè)置有一個(gè)與另一微流道相互連通的引流端頭,
在上下層疊的兩個(gè)微流道中,
位于下部的所述微流道的流體適于通過(guò)一對(duì)流孔經(jīng)引流端頭流至上部的所述微流道中;以及
位于上部的微流道中的流體適于通過(guò)另一對(duì)流孔經(jīng)引流端頭流至所述位于下部的所述微流道中;
其中,一個(gè)對(duì)流孔中設(shè)置所述正電極,另一個(gè)對(duì)流孔中設(shè)置所述負(fù)電極。
8.一種微流體混合方法,其特征在于,
將兩相互連通的微流道層疊設(shè)置;
在兩微流道內(nèi)的流體在行進(jìn)過(guò)程中相互交叉混合并經(jīng)過(guò)一耦合電場(chǎng),使流體產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微流體混合方法,其特征在于,
所述耦合電場(chǎng)由電極組件產(chǎn)生,所述電極組件包括至少一對(duì)正、負(fù)電極,且位于所述微反應(yīng)復(fù)合芯片上;
所述微流道呈L形;以及
在上下層疊的兩個(gè)微流道中,
位于上部的所述微流道的拐點(diǎn)處與位于下部的所述微流道的端部通過(guò)一對(duì)流孔連通;
位于下部的所述微流道的拐點(diǎn)處與位于上部的所述微流道的端部通過(guò)另一對(duì)流孔連通;
所述正、負(fù)電極分別設(shè)置在一個(gè)所述對(duì)流孔中;
或
所述微流道呈L形,并且一微流道的流通盡頭處設(shè)置有一個(gè)與另一微流道相互連通的引流端頭,
在上下層疊的兩個(gè)微流道中,
位于下部的所述微流道的流體適于通過(guò)一對(duì)流孔經(jīng)引流端頭流至上部的所述微流道中;以及
位于上部的微流道中的流體適于通過(guò)另一對(duì)流孔經(jīng)引流端頭流至所述位于下部的所述微流道中;
所述正、負(fù)電極分別設(shè)置在一個(gè)所述對(duì)流孔中。
10.一種微反應(yīng)復(fù)合芯片的制備方法,其特征在于,包括:
在微反應(yīng)復(fù)合芯片上設(shè)置電極組件。
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