[發明專利]晶圓鍵合方法在審
| 申請號： | 201811281935.6 | 申請日： | 2018-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN109411340A | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發明（設計）人： | 沈新林;王海寬;郭松輝;吳龍江;林宗賢 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/18 | 分類號： | H01L21/18;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 第一膜層 晶圓 膜層 鍵合 硅氧鍵 鍵合面 氨氣 等離子體活化 產品成品率 超臨界狀態 反應壓強 鍵合界面 晶圓鍵合 清洗處理 硅氮鍵 減小 圓鍵 種晶 引入 | ||
1.一種晶圓鍵合方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓包括第一鍵合面，所述第二晶圓包括第二鍵合面，所述第一鍵合面上形成有含有硅氧鍵層的第一膜層，所述第二鍵合面上形成有含有硅氧鍵的第二膜層；
在所述第一膜層中引入硅氮鍵層；
對所述第一膜層及所述第二膜層進行等離子體活化處理；
對所述第一膜層及所述第二膜層進行清洗處理；
對所述第一膜層及所述第二膜層進行鍵合處理，形成鍵合界面。
2.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：在鍵合所述第一膜層及所述第二膜層的過程中，在所述鍵合界面形成超臨界狀態的氨氣。
3.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：在鍵合所述第一膜層及所述第二膜層的過程中，在所述鍵合界面形成有水，所述水的狀態包括氣態。
4.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：形成所述含有硅氧鍵層的第一膜層的步驟包括采用化學氣相沉積法或爐管沉積法于所述第一鍵合面上沉積氧化硅層。
5.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：形成所述含有硅氧鍵的第二膜層的步驟包括于所述第二鍵合面上形成氧化硅層或正硅酸乙酯層。
6.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：在所述第一膜層中引入所述硅氮鍵層的步驟包括采用化學氣相沉積法于所述第一膜層上沉積氮氧化硅層或氮碳化硅層。
7.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：清洗處理所述第一膜層及所述第二膜層的步驟所采用的清洗液包括去離子水。
8.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：在鍵合所述第一膜層及所述第二膜層的步驟中，還包括退火的步驟。
9.根據權利要求8所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：在所述退火步驟中，退火溫度介于300℃～400℃，退火壓強介于10mTorr～1Torr。
10.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：所述等離子體活化處理的工作氣體包括氮氣、氧氣及惰性氣體中的一種或組合。
11.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：所述晶圓鍵合方法包括應用于制備前照式CMOS或背照式CMOS中。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
