[發明專利]一種TDD功率放大器的控制裝置

有效

• 申請號: 201811281570.7
• 申請日: 2018-10-24
• 公開（公告）號: CN109450386B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 李國華
• 申請（專利權）人: 廣州天電科技有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03F3/193;H03F3/21
• 代理公司: 深圳國海智峰知識產權代理事務所(普通合伙) 44489
• 代理人: 劉軍鋒

1.一種TDD功率放大器的控制裝置，其特征在于，包括鏈路單元、供電開關切換單元和柵壓溫補單元，所述鏈路單元包括串聯的下行PA電路和上行LNA電路，所述下行PA電路包括串聯的小微波放大器(A)、LDMOS管和環形器，所述上行LNA電路包括串聯的射頻開關(K1)和低噪聲放大器(LNA)；所述供電開關切換單元包括用于給所述小微波放大器(A)和低噪聲放大器(LNA)進行供電的供電開關電路，所述供電開關電路通過第一接口(VDD1)與所述小微波放大器(A)連接，所述供電開關電路通過第二接口(VDD2)與所述低噪聲放大器(LNA)連接，所述供電開關電路包括MOS管U3、電阻R7、電阻R8、電阻R5、逆變器U2和三極管(K2)；MOS管U3的第7、8引腳與第一接口(VDD1)連接，MOS管U3的第5、6引腳與第二接口(VDD2)連接，MOS管U3的第2引腳與電阻R7的一端連接，MOS管U3的第4引腳與電阻R8的一端連接，電阻R7的另一端與逆變器U2的第6引腳連接，電阻R8的另一端與逆變器U2的第4引腳連接，逆變器U2的第3引腳與三極管(K2)的集電極連接，逆變器U2的第1引腳與電阻R5的一端連接，電阻R5的另一端與三極管(K2)的基極連接，三極管(K2)的發射極接地；逆變器U2的第3引腳通過第三接口(LNA_SW)與射頻開關(K1)連接；所述柵壓溫補單元包括用于給所述LDMOS管進行溫度補償的柵壓溫補電路。

2.根據權利要求1所述的一種TDD功率放大器的控制裝置，其特征在于，三極管(K2)的基極還與電阻R6的一端連接，電阻R6的另一端與電容C6的一端連接，電容C6的另一端接地。

3.根據權利要求2所述的一種TDD功率放大器的控制裝置，其特征在于，MOS管U3的第1引腳還分別通過電容C11、電容C12接地。

4.根據權利要求3所述的一種TDD功率放大器的控制裝置，其特征在于，所述柵壓溫補電路通過第四接口(Vgs1)與所述LDMOS管連接。

5.根據權利要求4所述的一種TDD功率放大器的控制裝置，其特征在于，所述柵壓溫補電路包括逆變器U1、MOS管U4、二極管(D1)、電阻R2、電阻R3、電阻R0、電阻R4、電感L1、電容C3和電容C4；MOS管U4的D端分別與第四接口(Vgs1)、電阻R4的一端連接，電阻R4的另一端分別與電感L1的一端、電容C4的一端連接，電容C4的另一端與電容C3的一端連接，電阻R0的一端分別與電容C3的另一端、電感L1的另一端連接，電阻R0的一端通過DAC_Vgs與單片機(MCU)連接，單片機(MCU)與溫度傳感器(TMP)連接；MOS管U4的G端與電阻R2的一端連接，電阻R2的另一端與二極管(D1)的負極連接，二極管(D1)的正極與逆變器U1的第6引腳連接，逆變器U1的第1、2、3引腳均接地；MOS管U4的S端與電阻R3的一端連接，電阻R3的另一端接地。

6.根據權利要求5所述的一種TDD功率放大器的控制裝置，其特征在于，逆變器U1的第5腳分別與電容C1的一端、電容C2的一端連接，電容C1的另一端和電容C2的另一端均接地。

7.根據權利要求6所述的一種TDD功率放大器的控制裝置，其特征在于，MOS管U4的D端還與電容C5的一端連接，電容C5的另一端接地。