[發(fā)明專利]一種純鎳鍍鈀高溫導電絲及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811279885.8
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109457143A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設計）人: 張軍偉;張賀源;馮忠卿
• 申請（專利權）人: 深圳粵通應用材料有限公司
• 主分類號: C22C19/05
• 分類號: C22C19/05;C22C1/02;C25D7/06;C25D3/50;C22F1/10;H01B1/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種純鎳鍍鈀高溫導電絲，由以純鎳為主組分的鎳芯材和表面厚度為1?3μm的鍍鈀層構成，純鎳芯材中加入了提高鍍層穩(wěn)定性和結合力的改善劑，所述的改善劑中微量金屬元素與主組分鎳的重量百萬分比為：鈣8?20ppm、鑭10?35ppm、鎂10?25ppm、鈰10?40ppm、鋁8?20ppm、鉻30?50ppm、錫10?30ppm。本發(fā)明還公開了所述純鎳鍍鈀高溫導電絲的制備方法。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是：鍍鈀鎳絲相對鍍金鎳絲來說成本更低，同時鎳絲相比較銅絲具有很好的穩(wěn)定性和機械性能，且鎳芯材與鈀鍍層之間的結合能力要比銅芯材和金鍍層之間的結合能力更強，因此純鎳鍍鈀高溫導電絲在制造過程中有效地避免漏鍍或脫落，使用性能更加可靠，壽命更長。

技術領域

本發(fā)明涉及一種導電絲，具體是一種純鎳鍍鈀高溫導電絲及其制備方法。

背景技術

當前的半導體行業(yè)發(fā)展日新月異，半導體集成電路已實現(xiàn)了大規(guī)模生產，集成電路中包含有大量的電子元件，電子元件之間需要通過電流進行數(shù)據(jù)傳遞與交換，進而實現(xiàn)集成電路復雜的功能，這其中連接電子元件，并在其間充當信號交換橋梁作用的就是各種導電線，特別是由于電子元件工作過程中會產生大量的熱量，在重要的元件部位往往使用性能可靠的高溫導電線來進行數(shù)據(jù)的傳輸，其中常見的高溫導電線是純銅鍍金的高溫導電絲，這種導電絲雖然具有良好的導電性能，但其成本較高，且其內部的銅金屬在高溫、高濕或硫化物含量高的空氣中性能不穩(wěn)定，極易被腐蝕。相對來說金屬鈀的成本要比金低得多，鎳絲相比較銅絲具有很好的穩(wěn)定性和機械性能，且鈀與鎳之間的結合能力要比銅和金之間的結合能力更強，在進行后續(xù)加工時可以有效地避免漏鍍或脫落，因此開發(fā)一種純鎳鍍鈀高溫導電絲就顯得很有必要。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種純鎳鍍鈀高溫導電絲及其制備方法，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：

一種純鎳鍍鈀高溫導電絲，由以純鎳為主組分的鎳芯材和表面厚度為1-3μm的鍍鈀層構成，所述鎳芯材中加入了提高鍍層穩(wěn)定性和結合力的改善劑，所述的改善劑中微量金屬元素與主組分鎳的重量百萬分比為：鈣8-20ppm、鑭10-35ppm、鎂10-25ppm、鈰10-40ppm、鋁8-20ppm、鉻30-50ppm、錫10-30ppm。

作為本發(fā)明進一步的方案：由以鎳為主組分的鎳芯材和表面厚度為1.5-2.5μm的鍍鈀層構成，所述鎳芯材中加入了提高鍍層穩(wěn)定性和結合力的改善劑，所述改善劑中微量金屬元素與主組分鎳的重量百萬分比為：鈣10-18ppm、鑭12-33ppm、鎂12-23ppm、鈰12-38ppm、鋁10-18ppm、鉻32-48ppm、錫12-28ppm。

作為本發(fā)明再進一步的方案：由以鎳為主組分的鎳芯材和表面厚度為2μm的鍍鈀層構成，所述鎳芯材中加入了提高鍍層穩(wěn)定性和結合力的改善劑，所述改善劑中微量金屬元素與主組分鎳的重量百萬分比為：鈣15ppm、鑭20ppm、鎂18ppm、鈰25ppm、鋁15ppm、鉻40ppm、錫20ppm。

作為本發(fā)明再進一步的方案：鎳選取6N高純鎳原料，原料中鎳的純度不低于99.9999%。

所述一種純鎳鍍鈀高溫導電絲的制備方法，步驟如下：

（1）稱取純鎳原料，分切制成鎳片；

（2）將能夠提高鍍層穩(wěn)定性和結合力的微量金屬制作成改善劑，包括以下步驟：

a、分別按重量份稱取鈣、鑭、鎂、鈰、鋁、鉻和錫；

b、加入充有惰性保護氣體氬氣保護的熔爐進行熔煉，熔煉的功率為20KW，待完全熔化后保持溫度精煉15min；

c、在惰性氣體氬氣的保護下，自然冷卻至常溫；