[發明專利]一種鍍膜方法及太陽能電池

在審

• 申請號: 201811279400.5
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109852946A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 陳濤;葉亞寬;李新連;楊立紅
• 申請（專利權）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/455;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 楊志廷

1.一種鍍膜方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一太陽能電池基板；

在太陽能電池基板表面通過原子層沉淀法形成用于阻擋鈉離子的氧化物阻擋層；

其中，所述氧化物阻擋層通過進行預定數值的周期的沉淀，且所述氧化物阻擋層呈均勻致密沉淀于所述太陽能電池基板處。

2.根據權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，所述氧化物阻擋層進行沉淀的周期數為1-30周期。

3.根據權利要求2所述的鍍膜方法，其特征在于，所述氧化物阻擋層的厚度范圍為20-130nm。

4.根據權利要求3所述的鍍膜方法，其特征在于，所述氧化物阻擋層包括SiO₂膜層、Al₂O₃膜層或SiO₂膜層和Al₂O₃膜層的復合層。

5.根據權利要求4所述的鍍膜方法，其特征在于，利用原子層沉淀系統形成所述氧化物阻擋層為SiO₂膜層或Al₂O₃膜層的步驟包括以下步驟：

S1、設定原子層沉淀系統的生長參數；

S2、向太陽能電池基板表面上通過脈沖輸送具有Si或Al的前驅體氣體，以在太陽能電池基板表面上形成離散的Si單層或Al單層；

S3、將非活性吹掃氣體吹向太陽能電池基板表面，去除沒有形成Si單層或Al單層的Si或Al的前驅體氣體；

S4、向太陽能電池基板表面上脈沖輸送氧氣，與形成Si單層的Si前驅體氣體或與形成Al單層的Al前驅體氣體反應，形成離散的SiO₂單層或Al₂O₃單層；

S5、將非活性吹掃氣體吹向太陽能電池基板表面，去除沒有和Si前驅體氣體或Al前驅體氣體反應的氧氣以及Si前驅體氣體或Al前驅體氣體和氧氣反應的副產物；在板玻璃表面形成覆蓋離散的氧化物單層的SiO₂膜層或Al₂O₃膜層。

6.根據權利要求5所述的鍍膜方法，其特征在于，還包括以下步驟：

S6、根據原子層沉淀系統的生長參數，重復上述步驟S1～S5，在太陽能電池基板表面形成覆蓋離散的氧化物多層的SiO₂膜層或Al₂O₃膜層。

7.根據權利要求4所述的鍍膜方法，其特征在于，利用原子層沉淀系統形成所述氧化物阻擋層為SiO₂膜層和Al₂O₃膜層的復合層的步驟包括以下步驟：

S1、設定原子層沉淀系統的生長參數；

S2、向太陽能電池基板表面上脈沖輸送Si和Al混合前驅體氣體，以在太陽能電池基板表面上形成離散的Si和Al混合單層；

S3、將非活性吹掃氣體吹向太陽能電池基板表面，去除沒有形成Si和Al混合單層的Si和Al混合前驅體氣體；

S4、向太陽能電池基板表面上脈沖輸送氧氣，與形成Si和Al混合單層的Si和Al混合前驅體氣體反應，形成離散的SiO₂和Al₂O₃的混合單層；

S5、將非活性吹掃氣體吹向太陽能電池基板表面，去除沒有和Si和Al混合前驅體氣體反應的氧氣以及Si和Al混合前驅體氣體和氧氣反應的副產物；在太陽能電池基板表面形成覆蓋離散的氧化物單層的SiO₂和Al₂O₃的混合膜層；

S6、重復上述步驟S1～S5，在太陽能電池基板表面形成覆蓋離散的氧化物多層的SiO₂膜層和Al₂O₃膜層的復合層。