[發(fā)明專利]一種降低阻變存儲(chǔ)器操作電壓的方法及其阻變存儲(chǔ)器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811279385.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109411600A | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李穎弢;李曉燕 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘭州大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 甘肅省知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心 62100 | 代理人： | 孫惠娜 |
| 地址： | 730000 甘肅*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 阻變存儲(chǔ)器 操作電壓 氧化石墨烯 阻變存儲(chǔ)層 量子點(diǎn)層 緩沖層 電極 載流子 金屬氧化物薄膜 阻變存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu) 石墨烯基材料 存儲(chǔ)器器件 微電子技術(shù) 導(dǎo)電細(xì)絲 二維材料 降低器件 內(nèi)部電場(chǎng) 制造工藝 石墨烯 下電極 兩層 捕獲 嵌入 兼容 生長 引入 制作 | ||
1.一種降低阻變存儲(chǔ)器操作電壓的方法，其特征在于：該方法是采用在阻變存儲(chǔ)器的上電極與下電極之間的阻變存儲(chǔ)層內(nèi)嵌入一層氧化石墨烯量子點(diǎn)層的緩沖層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使用降低阻變存儲(chǔ)器操作電壓的方法的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：包括襯底（401），所述襯底（401）上設(shè)置下電極（402）；所述下電極（402）上設(shè)有阻變存儲(chǔ)層（403），該阻變存儲(chǔ)層（403）由金屬氧化物構(gòu)成，所述阻變存儲(chǔ)層（403）中間設(shè)置緩沖層（404），所述緩沖層（404）將阻變存儲(chǔ)層（403）分為厚度相同的兩層，所述緩沖層（404）由氧化石墨烯量子點(diǎn)層構(gòu)成，所述阻變存儲(chǔ)層（403）上設(shè)置上電極（405）。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述緩沖層（404）的厚度為1-5nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述緩沖層（404）將阻變存儲(chǔ)層（403）分為厚度相同的兩層，每層阻變存儲(chǔ)層（403）的厚度為3-50nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述阻變存儲(chǔ)層（403）由ZrOX，1<=X<=2或HfOX，1<X<=2或TiO2的過渡族金屬氧化物其中一種制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述襯底（401）由二氧化硅或摻雜二氧化硅的絕緣材料的其中一種制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述下電極（402）和上電極（405）均由Cu或Ag或Pt或Au或Al或Ti的金屬電極或包括TiN或ITO或IZO的導(dǎo)電金屬化合物的其中一種制成。
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