[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811279155.8
• 申請(qǐng)日: 2018-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111128895A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宛偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8242
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。其中該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上定義出第一方向和第二方向，所述第一方向與所述第二方向具有不為零的夾角；第一隔離結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體襯底中且沿所述第一方向分布；第二隔離結(jié)構(gòu)和埋入式柵極字線(xiàn)結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體襯底中且沿所述第二方向分布；其中所述第一隔離結(jié)構(gòu)和所述埋入式柵極字線(xiàn)結(jié)構(gòu)均是利用自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)形成。本公開(kāi)由于埋入式柵極字線(xiàn)結(jié)構(gòu)通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)，可以避免發(fā)生位置偏移，提升半導(dǎo)體器件的可靠度。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法。

背景技術(shù)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory，簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM)是計(jì)算機(jī)中常用的半導(dǎo)體器件，由許多重復(fù)的存儲(chǔ)單元組成。每個(gè)存儲(chǔ)單元通常包括電容器和晶體管；晶體管的柵極與字線(xiàn)相連、源極與位線(xiàn)相連、漏極與電容器相連；字線(xiàn)上的電壓信號(hào)能夠控制晶體管的打開(kāi)或關(guān)閉，進(jìn)而通過(guò)位線(xiàn)讀取存儲(chǔ)在電容器中的數(shù)據(jù)信息，或者通過(guò)位線(xiàn)將數(shù)據(jù)信息寫(xiě)入到電容器中進(jìn)行存儲(chǔ)。

隨著技術(shù)的發(fā)展，DRAM的線(xiàn)寬越來(lái)越小，器件集成度也越來(lái)越高，柵極之間的距離不斷縮小，這會(huì)帶來(lái)一些問(wèn)題，比如電容的泄露、相鄰兩個(gè)柵極之間的干擾等，這些問(wèn)題均會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生影響。埋入式柵極字線(xiàn)連結(jié)(Buried Wordline)技術(shù)不同于傳統(tǒng)的溝槽式(Trench)技術(shù)，具有效能、低功耗和小尺寸芯片等特點(diǎn)。但是目前埋入柵極都是用光刻技術(shù)進(jìn)行定位來(lái)曝光顯影的，這可能會(huì)出現(xiàn)曝光偏差。

因此，現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)方案加工難度大，對(duì)準(zhǔn)時(shí)容易出現(xiàn)偏差，還存在有待改進(jìn)之處。

需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，用于至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)中光刻工藝導(dǎo)致柵極對(duì)準(zhǔn)出現(xiàn)偏差的問(wèn)題。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，并在所述半導(dǎo)體襯底上定義出第一方向和第二方向，所述第一方向與所述第二方向具有不為零的夾角；

利用自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)在所述半導(dǎo)體襯底中沿所述第一方向形成第一隔離結(jié)構(gòu)；

于具有第一隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底中沿所述第二方向形成第二隔離結(jié)構(gòu)；

以所述第二隔離結(jié)構(gòu)為基準(zhǔn)，利用自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)在具有第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底中沿所述第二方向形成埋入式柵極字線(xiàn)結(jié)構(gòu)；

所述第一隔離結(jié)構(gòu)和所述第二隔離結(jié)構(gòu)之間形成有源區(qū)。

在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，利用自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)在所述半導(dǎo)體襯底中沿所述第一方向形成第一隔離結(jié)構(gòu)包括：

在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一襯氧化層、第一氮化硅層、第一碳層、第一氧化層和第一光刻膠；

于所述第一光刻膠中形成第一開(kāi)口；

利用所述第一開(kāi)口對(duì)所述第一氧化層、第一碳層和所述第一氮化硅層進(jìn)行刻蝕，并去除所述第一光刻膠、所述第一氧化層和所述第一碳層，于所述第一氮化硅層中形成第二開(kāi)口；

在所述第一氮化硅層表面和所述第二開(kāi)口中沉積第二氧化層；

刻蝕所述第一氮化硅層表面和所述第二開(kāi)口底面的所述第二氧化層，保留所述第二開(kāi)口側(cè)壁的所述第二氧化層；于所述第二開(kāi)口中填充第二氮化硅層；

利用所述第一氮化硅層和所述第二氮化硅層作為掩膜，刻蝕所述第二開(kāi)口側(cè)壁的所述第二氧化層、所述第一襯氧化層和所述半導(dǎo)體襯底，形成第一溝槽；