[發明專利]平坦化機臺及其平坦化方法

有效

• 申請號: 201811278785.3
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109719616B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 吳銘棟;藍浚愷;周東和;匡訓沖
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/30
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蔣林清

1.一種平坦化機臺，其包括：

臺板，其經配置以支撐晶片；及

磨輪，其位于所述臺板上且經配置以研磨所述晶片，所述磨輪包括：

底環；及

多個磨齒，其安裝于所述底環上，所述多個磨齒包括多個磨粒，其中所述多個磨粒呈球形。

2.根據權利要求1所述的平坦化機臺，其中所述多個磨粒的莫氏硬度大體上等于或大于9。

3.根據權利要求1所述的平坦化機臺，其進一步包括位于所述臺板上且經配置以固定所述晶片的卡盤臺。

4.根據權利要求3所述的平坦化機臺，其中所述臺板及所述卡盤臺能夠圍繞不同軸線旋轉。

5.一種平坦化機臺，其包括：

臺板，其經配置以支撐晶片；

框架，其安置于所述臺板上，其中所述框架包圍所述晶片以在所述臺板上界定用于容納研漿的貯槽；以及

磨輪，其位于所述臺板上且經配置以研磨所述晶片。

6.根據權利要求5所述的平坦化機臺，其中所述研漿包括電解質。

7.根據權利要求6所述的平坦化機臺，其進一步包括經配置以提供所述晶片與所述電解質之間的電位的第一電極及第二電極。

8.根據權利要求7所述的平坦化機臺，其中所述第一電極與所述晶片接觸且所述第二電極與所述電解質接觸。

9.根據權利要求7所述的平坦化機臺，其進一步包括位于所述電解質中且介于所述第一電極與所述第二電極之間的電阻調整組件，其中所述電阻調整組件的電阻高于所述晶片的電阻。

10.一種平坦化方法，其包括：

將晶片安置于貯槽中；

將研漿供給到所述貯槽中，其中所述研漿包括電解質及多個磨光劑；

將電壓電位施加于所述電解質與所述晶片之間以電化學蝕刻所述晶片；以及

使用磨輪來研磨所述晶片。