[發明專利]溝槽隔離結構的形成方法及介電膜的形成方法

在審

• 申請號: 201811278659.8
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN111128850A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 吳婭妮;于寶慶

1.一種溝槽隔離結構的形成方法，包括：

提供具有至少一溝槽的襯底；

在所述溝槽內沉積介質材料；以及

先通過臭氧再通過紫外光對所述介質材料進行固化處理，在所述溝槽內形成介質層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在10～20℃的溫度下對所述介質材料進行固化。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述臭氧固化過程中，臭氧的流量為8000～12000sccm。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述紫外光的波長為10～400nm。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述固化處理完成后進行退火工藝。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述介質層為氧化硅層或氮氧化硅層。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述襯底上依次設置有氧化物層、氮化物層，所述溝槽貫穿所述氧化物層、所述氮化物層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，在所述氮化物層和所述介質層上形成二氧化硅層。

9.根據權利要去1所述的方法，其中，臭氧和紫外的處理在同一個腔體內完成。

10.一種介電膜的形成方法，包括：

在襯底上沉積介質材料，以及；

先通過臭氧再通過紫外光對所述介質材料進行固化，制得所述介電膜。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，在10～20℃的溫度下對所述介質材料進行固化。