[發明專利]半導體結構的形成方法

在審

• 申請號: 201811277286.2
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN110718475A
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 李承晉;李劭寬;黃心巖;陳海清;眭曉林
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，該形成方法包含：

提供一基材，該基材包含一金屬部分和形成于該基材上的一低介電常數部分，其中該金屬部分緊鄰該低介電常數部分；

制備一自組裝單層溶液，該自組裝單層溶液包含：

至少一遮蔽化合物，配置以接附至該金屬部分和該低介電常數部分的一者；

一多溶劑系統，包含醇類和酯類，其中該醇類具有1至6個碳原子，且該酯類具有1至6個碳原子；

于該金屬部分和該低介電常數部分的表面上，施予該自組裝單層溶液；

加熱該基材，以移除位于該金屬部分和該低介電常數部分的該表面上方的該自組裝單層溶液的該多溶劑系統，從而形成一遮蔽層于該金屬部分和該低介電常數部分的一者上；

使用該遮蔽層為一模板，選擇性地沉積一材料層于該金屬部分和該低介電常數部分的另一者上，其中該材料層包含一金屬材料或一介電材料；以及

從該基材上移除該遮蔽層。