[發明專利]中子捕獲治療系統

在審

• 申請號: 201811276937.6
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN110870951A
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 江濤;陳韋霖
• 申請（專利權）人: 中硼（廈門）醫療器械有限公司
• 主分類號: A61N5/10
• 分類號: A61N5/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種中子捕獲治療系統，其特征在于，包括中子產生裝置和射束整形體，所述中子產生裝置包括加速器和靶材，所述加速器加速產生的帶電粒子線與所述靶材作用產生中子線，所述射束整形體包括反射體、緩速體、熱中子吸收體、輻射屏蔽體和射束出口，所述緩速體將自所述靶材產生的中子減速至超熱中子能區，所述反射體包圍所述緩速體并將偏離的中子導回至所述緩速體以提高超熱中子射束強度，所述熱中子吸收體用于吸收熱中子以避免治療時與淺層正常組織造成過多劑量，所述輻射屏蔽體圍繞所述射束出口設置在所述反射體后部用于屏蔽滲漏的中子和光子以減少非照射區的正常組織劑量，所述中子捕獲治療系統還包括容納所述中子產生裝置和射束整形體的混凝土壁，所述混凝土壁和至少部分設置在所述混凝土壁內的增強部用于支撐所述射束整形體，所述增強部的材料彈性模量不低于40GPa，屈服強度不低于200MPa，極限強度不低于100MPa。

2.如權利要求1所述的中子捕獲治療系統，其特征在于，所述增強部的材料90％(重量百分比)以上由C、H、O、N、Si、Al、Mg、Li、B、Mn、Cu、Zn、S、Ca中的至少一種元素構成，所述增強部被中子活化后產生的放射性同位素半衰期小于1年，所述增強部的材料至少部分為鋁合金或碳纖維復合材料或玻璃纖維復合材料。

3.如權利要求1所述的中子捕獲治療系統，其特征在于，所述中子捕獲治療系統還包括治療臺和準直器，所述準直器設置在所述射束出口后部以匯聚中子線，所述中子產生裝置產生的中子線通過所述射束整形體和準直器照射向所述治療臺上的被照射體，所述被照射體和射束出口之間設置輻射屏蔽裝置以屏蔽從所述射束出口出來的射束對被照射體正常組織的輻射。

4.如權利要求3所述的所述中子捕獲治療系統，其特征在于，所述中子捕獲治療系統還包括帶電粒子束生成室和照射室，所述治療臺上的被照射體在所述照射室中進行中子線照射的治療，所述帶電粒子束生成室容納所述加速器，所述混凝土壁包括所述帶電粒子束生成室和照射室之間的分隔壁，所述射束整形體支撐在至少部分設置在所述分隔壁內的增強部上。

5.如權利要求4所述的中子捕獲治療系統，其特征在于，所述中子產生裝置還包括射束傳輸部，所述射束傳輸部將加速器產生的帶電粒子線傳輸到所述靶材，所述分隔壁上設置一通孔，所述射束傳輸部穿過所述通孔。

6.一種用于支撐射束整形體的支撐裝置，所述射束整形體用于調整中子產生裝置產生的中子線的射束品質，其特征在于，所述支撐裝置包括容納腔，所述射束整形體安裝在所述容納腔內，所述支撐裝置還包括混凝土壁和至少部分設置在所述混凝土壁內的增強部。

7.如權利要求6所述的用于支撐射束整形體的支撐裝置，其特征在于，所述增強部的材料彈性模量不低于40GPa，屈服強度不低于200MPa，極限強度不低于100MPa，所述增強部的材料90％(重量百分比)以上由C、H、O、N、Si、Al、Mg、Li、B、Mn、Cu、Zn、S、Ca中的至少一種元素構成，所述增強部被中子活化后產生的放射性同位素半衰期小于1年。

8.如權利要求6所述的用于支撐射束整形體的支撐裝置，其特征在于，所述增強部包括第一增強部和第二增強部，所述第一增強部設置在所述混凝土壁內，所述第二增強部至少部分伸出所述混凝土壁。

9.如權利要求8所述的用于支撐射束整形體的支撐裝置，其特征在于，所述第一增強部包括圓環、框架和分布筋，所述圓環圍繞所述射束整形體設置，所述框架圍繞所述圓環設置，所述分布筋在水平和混凝土的厚度方向以預定間距分布在混凝土內，所述分布筋至少部分穿過所述框架或與所述框架搭接，所述分布筋至少部分與所述圓環搭接，所述圓環和框架的材料為鋁合金或碳纖維復合材料或玻璃纖維復合材料，所述分布筋的材料為鋼或鋁合金或碳纖維復合材料或玻璃纖維復合材料，所述鋁合金為鋁鎂合金，所述碳纖維復合材料為碳纖維樹脂復合材料，所述玻璃纖維復合材料為玻璃纖維樹脂復合材料，所述圓環為型材或由筋構造，所述框架由水平框架型材梁或水平骨架構造，所述水平骨架包括水平縱筋與箍筋。

10.如權利要求9所述的用于支撐射束整形體的支撐裝置，其特征在于，所述第二增強部包括水平的支撐板和連接所述支撐板和第一增強部的側板，所述容納腔形成在所述支撐板上，所述支撐板面向所述第一增強部的一側設置凸緣，所述凸緣形成所述容納腔并對射束整形體在水平方向進行限位，所述支撐板上形成通孔，所述中子線經過所述射束整形體從所述通孔出來。