[發明專利]加工半導體晶圓的方法、清洗方法及加工系統

有效

• 申請號: 201811276372.1
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109794845B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 彭至億;葉修銘;劉易昌
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;H01L21/306;H01L21/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種加工一半導體晶圓的方法，包括：

自一介面工具的一腔體中傳送該半導體晶圓至一化學機械研磨工具；

在該化學機械研磨工具中研磨該半導體晶圓；

自該化學機械研磨工具將該半導體晶圓傳送回該介面工具的該腔體中；以及

轉換一混合液成為一噴霧，并在該半導體晶圓通過該化學機械研磨工具進行研磨后，將該噴霧排出至位于該介面工具的該腔體中的該半導體晶圓上。

2.如權利要求1所述加工一半導體晶圓的方法，還包括：

在該半導體晶圓通過該化學機械研磨工具進行研磨前，將該噴霧排出至位于該介面工具的該腔體中的該半導體晶圓上；

其中在該半導體晶圓通過該化學機械研磨工具進行研磨前所排出的該噴霧是與在該半導體晶圓通過該化學機械研磨工具進行研磨后所排出的該噴霧相異。

3.如權利要求1所述加工一半導體晶圓的方法，其中該噴霧包括NH₄OH溶液或苯并三唑溶液。

4.如權利要求1所述加工一半導體晶圓的方法，還包括：

將已通過該化學機械研磨工具研磨完成的該半導體晶圓自該化學機械研磨工具的一研磨頭卸除并移至該介面工具的該腔體中的一晶圓座；

其中該噴霧是在該半導體晶圓受該晶圓座所支承時排出至位于該介面工具的該腔體中的該半導體晶圓上。

5.如權利要求1所述加工一半導體晶圓的方法，其中該噴霧是通過多個噴霧噴嘴而排出，并且該方法還包括：

控制來自該多個噴霧噴嘴的一者的該噴霧的流速相異于來自該多個噴霧噴嘴的另一者的該噴霧的流速。

6.如權利要求1所述加工一半導體晶圓的方法，其中該噴霧是通過多個噴霧噴嘴而排出，并且該方法還包括：

通過相對于該半導體晶圓位于不同角度的該多個噴霧噴嘴的二者排出該噴霧。

7.如權利要求1所述加工一半導體晶圓的方法，還包括根據暴露于受研磨的該半導體晶圓的一材料調整該混合液的一酸堿值。

8.如權利要求1所述加工一半導體晶圓的方法，還包括：檢測該半導體晶圓在該介面工具的該腔體中的存在；其中該噴霧是在檢測該半導體晶圓存在于該晶圓座之后的一既定時間才排出至該半導體晶圓。

9.一種清洗方法，適用于在化學機械研磨工藝后清洗一半導體晶圓，該清洗方法包括：

自一研磨頭卸載一半導體晶圓并移至一晶圓座，該研磨頭配置用于在該化學機械研磨工藝中夾持該半導體晶圓；

轉換一混合液成為一噴霧，并通過多個噴霧噴嘴排出該噴霧至由該晶圓座所支撐的該半導體晶圓上；

自該晶圓座傳送該半導體晶圓至一清潔工具；

在該清潔工具中清潔該半導體晶圓；以及

根據與該半導體晶圓上所形成的缺陷圖相關聯的歷史數據，控制來自該多個噴霧噴嘴的一者的該噴霧的流速相異于來自該多個噴霧噴嘴的另一者的該噴霧的流速。

10.如權利要求9所述的清洗方法，還包括：

在該半導體晶圓自該研磨頭卸除并移動至該晶圓座前，排出另一噴霧至該半導體晶圓的一邊緣以及該研磨頭。

11.如權利要求9所述的清洗方法，其中該噴霧包括NH₄OH溶液或苯并三唑溶液。

12.如權利要求9所述的清洗方法，其中該噴霧是通過多個噴霧噴嘴而排出，并且該方法還包括：通過相對于該半導體晶圓位于不同角度的該多個噴霧噴嘴的二者排出該噴霧。

13.如權利要求9所述的清洗方法，還包括：在執行一時間過后，暫停排出該噴霧至該半導體晶圓；以及在一閑置時間后重新排出該噴霧至該半導體晶圓。