[發明專利]圖像傳感器

在審

• 申請號: 201811276365.1
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109728017A
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 金升埴;金成瞮;樸海龍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波;翟然

一種圖像傳感器包括：基板，具有第一表面；第一器件隔離區，鄰近第一表面且限定單元像素；轉移柵，在第一表面上在單元像素的邊緣處；光電轉換部，在基板中且鄰近轉移柵的第一側表面；以及浮置擴散區，在基板中且鄰近轉移柵的第二側表面。第二側表面面對第一側表面。第一器件隔離區與第二側表面間隔開?；搴偷谝黄骷綦x區摻雜有具有第一導電性的雜質。第一器件隔離區的第一雜質濃度大于基板的第二雜質濃度。

技術領域

本發明構思涉及一種能夠提高電荷轉移效率的圖像傳感器。

背景技術

圖像傳感器是將光學圖像轉換成電信號的半導體器件。圖像傳感器可以分為電荷耦合器件(CCD)型或互補金屬氧化物半導體(CMOS)型。CIS(CMOS 圖像傳感器)指的是CMOS型圖像傳感器。CIS可以包括多個二維布置的像素。每個像素包括光電二極管(PD)。光電二極管用于將入射光轉換成電信號。

發明內容

本發明構思的一些實施方式提供一種能夠提高電荷轉移效率的圖像傳感器。

根據本發明構思的一些實施方式，一種圖像傳感器包括：基板，具有第一表面；第一器件隔離區，在基板中且鄰近基板的第一表面，第一器件隔離區限定單元像素；轉移柵，在基板的第一表面上在單元像素的邊緣處；光電轉換部，在基板中且鄰近轉移柵的第一側表面；以及浮置擴散區，在基板中且鄰近轉移柵的第二側表面，轉移柵的第二側表面與轉移柵的第一側表面相反。第一器件隔離區可以與轉移柵的第二側表面間隔開。基板和第一器件隔離區可以摻雜有具有第一導電性的雜質。第一器件隔離區的第一雜質濃度可以大于基板的第二雜質濃度。

根據本發明構思的一些實施方式，一種圖像傳感器可以包括：基板，具有第一表面；第一器件隔離區，在基板中且鄰近基板的第一表面，第一器件隔離區限定單元像素；子隔離區，在基板中在單元像素上，子隔離區與第一器件隔離區間隔開并且將單元像素分離成第一子像素和第二子像素；第一子轉移柵，在第一表面上，鄰近第一子像素的第一拐角，第一子像素的第一拐角鄰近第二子像素；第二子轉移柵，在基板的第一表面上，鄰近第二子像素的第二拐角，第二子像素的第二拐角鄰近第一子轉移柵；以及浮置擴散區，在基板中且鄰近第一子轉移柵和第二子轉移柵。第一器件隔離區和子隔離區與浮置擴散區間隔開。

根據本發明構思的一些實施方式，一種圖像傳感器包括：基板，具有第一表面；第一器件隔離區，在基板中且鄰近基板的第一表面；以及在基板中的彼此間隔開的第一浮置擴散區和第二浮置擴散區，第一和第二浮置擴散區與第一表面相鄰。第一器件隔離區可以限定在逆時針方向布置的彼此鄰近的第一至第四單元像素。第一浮置擴散區可以位于第一單元像素和第二單元像素之間的邊界上。第二浮置擴散區可以位于第三單元像素和第四單元像素之間的邊界上。第一和第二浮置擴散區可以彼此電連接。第一器件隔離區可以與第一和第二浮置擴散區間隔開。

附圖說明

圖1示出顯示根據本發明構思的示例實施方式的圖像傳感器的平面圖。

圖2示出根據本發明構思的示例實施方式的沿圖1的線A-A'截取的剖視圖。

圖3示出根據本發明構思的示例實施方式的顯示圖1的一部分的簡化平面圖。

圖4示出平面圖，顯示了根據本發明構思的示例實施方式的第一器件隔離區與浮置擴散區接觸的情形。

圖5示出根據本發明構思的示例實施方式的圖2的圖像傳感器的電勢與位置的曲線圖。

圖6示出顯示根據本發明構思的示例實施方式的圖像傳感器的簡化平面圖。

圖7示出根據本發明構思的示例實施方式的沿圖6的線B-B'截取的剖面的電勢與位置的曲線圖。

圖8示出電路圖，顯示了根據本發明構思的示例實施方式的圖6的圖像傳感器。

圖9示出詳細平面圖，顯示了根據本發明構思的示例實施方式的圖像傳感器。