[發明專利]透明導電電極的制備方法

有效

• 申請號: 201811274747.0
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109402635B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 孟祥浩;顧楊;潘克菲;高緒彬
• 申請（專利權）人: 蘇州諾菲納米科技有限公司
• 主分類號: C23F1/02
• 分類號: C23F1/02;C23F1/30;H01B13/00;H01B5/14
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 韓曉園

本發明提供了一種透明導電電極的制備方法，包括如下步驟：在基板上涂布銀納米線構成銀納米線導電膜；在銀納米線導電膜上涂布基質，所述基質覆蓋或半覆蓋所述銀納米線構成傳導層；將具有通孔的掩膜板置于所述傳導層上方，被所述掩膜板覆蓋的傳導層構成第一區域；采用預處理液對通過通孔向外暴露的傳導層進行處理，增加所述銀納米線在所述基質表面的裸露量，同時將銀納米線的至少部分表面轉換成難溶鹽；采用蝕刻液對預處理劑處理后的傳導層進行處理，構成第二區域。該方法通過預處理液對傳導層進行處理，增加銀納米線的裸露數量；同時將銀納米線表面形成難溶性銀鹽，降低銀的氧化電位，以降低銀納米線的蝕刻條件，從而降低后續工藝的蝕刻痕。

技術領域

本發明涉及透明導電電極制備領域，尤其涉及一種透明導電電極的制備方法。

背景技術

銀納米線透明導電膜具有柔性特征，因此，在柔性顯示、觸控傳感器、太陽能電池、可穿戴設備等領域具有廣泛的應用。

在上述應用中，需要對銀納米線構成的導電層進行圖案化處理加工，具體可以通過干法，例如激光刻蝕；濕法，例如噴墨打印蝕刻劑、絲印蝕刻膏以及蝕刻液實現加工。其中濕法蝕刻相較于激光蝕刻在生產效率上更有優勢，特別是黃光蝕刻工藝可以通過卷對卷作業，能夠大大提高產量。

但是濕法蝕刻是通過化學試劑與銀納米線反應，可能會導致蝕刻區銀納米線密度下降、直徑變細或者長度變短，從而產生蝕刻區與非蝕刻區的外觀對比，影響最終產品的光學性能。

有鑒于此，有必要提供一種改進的納米銀蝕刻液及其制備方法，以解決上述問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種低蝕刻痕的透明導電電極的制備方法。

為實現上述發明目的，本發明提供了一種透明導電電極的制備方法，包括如下步驟：在基板上涂布銀納米線構成銀納米線導電膜；在銀納米線導電膜上涂布基質，所述基質覆蓋或半覆蓋所述銀納米線構成傳導層；將具有通孔的掩膜板置于所述傳導層上方，被所述掩膜板覆蓋的傳導層構成第一區域；采用預處理液對通過通孔向外暴露的傳導層進行處理，增加所述銀納米線在所述基質表面的裸露量，同時將銀納米線的至少部分表面轉換成難溶鹽；采用蝕刻液對預處理劑處理后的傳導層進行處理，構成第二區域。

作為本發明的進一步改進，所述預處理液包括：80～99.9％溶劑、0.1～10％預處理劑，0.1～1％pH調節劑，0.1～1％表面活性劑。

作為本發明的進一步改進，所述預處理劑為能夠與銀離子形成難溶性鹽的試劑，所述預處理劑為氯化鈉、氯化鉀、溴化鈉、溴化鉀、碘化鈉、碘化鉀、氰化鈉、氰化鉀、硫氰化鈉、硫氰化鉀、硫化鈉、硫化鉀中的一種或多種的混合；或所述預處理劑為含有巰基的有機物，含有巰基的有機物為乙硫醇、十二硫醇、1,3-丙二硫醇、半胱氨酸、或谷胱甘肽，或所述預處理劑為能夠螯合銀粒子的有機物，能夠螯合銀粒子的有機物為苯并三氮唑、或乙二胺四乙酸。

作為本發明的進一步改進，采用蝕刻液對預處理劑處理后的傳導層進行處理具體為：通過絲網印刷工藝將可采用絲網印刷工藝涂布的蝕刻液涂布于預處理劑處理后的傳導層，然后對傳導層進行加熱，加熱溫度為30℃～150℃，加熱時間為1分鐘～60分鐘。

作為本發明的進一步改進，所述可采用絲網印刷工藝涂布的蝕刻液由蝕刻母液加入1％～20％的填料構成；所述蝕刻母液包括：80％～99.9％溶劑、0.1％～10％蝕刻劑，0.1％～1％pH調節劑，0.1％～1％表面活性劑；所述填料為惰性無機物，所述惰性無機物為氣相二氧化硅、或膨潤土、或硫酸鋇；或所述填料為惰性有機高分子，所述惰性有機高分子為PVP、或羥基纖維素。

作為本發明的進一步改進，采用蝕刻液對預處理劑處理后的傳導層進行處理具體為：通過噴墨打印工藝將可采用噴墨打印工藝涂布的蝕刻液涂布于預處理劑處理后的傳導層，然后對傳導層進行加熱，加熱溫度為30℃～120℃，加熱時間為1～30分鐘。