[發(fā)明專利]一種LED芯片的制備方法及LED芯片

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811274077.2
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN109216521A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒微微;徐洲;李波;杭偉;趙鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 梁香美

1.一種LED芯片的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成反射層；

在所述反射層上形成外延層，所述外延層包括依次形成于所述反射層上的N型層、發(fā)光層和P型層；

在所述P型層上形成窗口層；

在所述窗口層上形成金屬薄膜層，所述金屬薄膜呈顆粒狀，相鄰顆粒之間存在間隙；

透過所述金屬薄膜層的所述間隙蝕刻所述窗口層后，去除所述金屬薄膜層，使得所述窗口層上表面形成粗化深度小于設(shè)定值的粗化面；

在所述窗口層上形成導(dǎo)電增透膜；

在所述導(dǎo)電增透膜上形成P型電極層，在所述襯底背面形成N型電極層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述P型層上形成窗口層，包括：

在所述P型層上形成磷化鎵摻雜層；

所述粗化面呈錐形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述窗口層和所述金屬薄膜層之間形成介質(zhì)膜層；

透過所述金屬薄膜層的所述間隙蝕刻所述窗口層后，去除所述金屬薄膜層，使得所述窗口層上表面形成粗化深度小于設(shè)定值的粗化面，包括：

透過所述金屬薄膜層的所述間隙蝕刻所述介質(zhì)膜層以及粗化深度的窗口層后，使得所述窗口層上表面形成粗化深度小于設(shè)定值的粗化面，所述粗化面呈柱形；

去除所述金屬薄膜層以及所述介質(zhì)膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述使得所述窗口層上表面形成粗化深度小于設(shè)定值的粗化面后，在所述窗口層上形成導(dǎo)電增透膜之前，所述方法還包括：

對位于所述粗化面中心的設(shè)定區(qū)域進(jìn)行蝕刻至設(shè)定深度，使得所述窗口層形成位于第一凹槽區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在所述窗口層上形成導(dǎo)電增透膜，包括：

在具有第一凹槽區(qū)域的窗口層上形成導(dǎo)電增透膜，使得所述導(dǎo)電增透膜具有與所述第一凹槽區(qū)域?qū)?yīng)的第二凹槽區(qū)域；

在所述導(dǎo)電增透膜上形成電極層，包括：

在所述第二凹槽區(qū)域上形成所述P型電極層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

所述金屬薄膜層的厚度為3-5nm。

7.一種LED芯片，其特征在于，包括：包括襯底、形成于所述襯底上的反射層、形成于所述反射層上的外延層、形成于所述外延層上的窗口層、形成于所述窗口層上的導(dǎo)電增透膜、形成于所述增透膜上的P型電極層以及形成于所述襯底背面的N型電極層；

所述外延層包括依次形成于所述反射層上的N型層、發(fā)光層和P型層；

所述窗口層形成于所述P型層上，所述窗口層上表面形成粗化深度小于設(shè)定值的粗化面；所述粗化面是通過在所述窗口層上形成呈顆粒狀且相鄰顆粒之間存在間隙的金屬薄膜層，透過所述金屬薄膜層的所述間隙蝕刻所述粗化深度的窗口層后，去除所述金屬薄膜層得到的。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述窗口層包括位于所述粗化面中心的第一凹槽區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述導(dǎo)電增透膜具有與所述第一凹槽區(qū)域?qū)?yīng)的第二凹槽區(qū)域，所述P型電極層形成于所述第二凹槽區(qū)域上。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述粗化面呈錐形或者圓柱形。