[發(fā)明專(zhuān)利]二極管壓接組件單元、全橋級(jí)聯(lián)單元及模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811273751.5
• 申請(qǐng)日: 2018-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109545779B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 茍銳鋒;李超;趙朝偉;鄭全旭;封磊;孫銀山;楊曉平;任軍輝;王江濤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安西電電力系統(tǒng)有限公司;中國(guó)西電電氣股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/07
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/07;H01L25/18;H01H71/02
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤;孫乳筍

1.一種二極管壓接組件單元，其特征在于，所述的二極管壓接組件單元包括：上層二極管硅堆單元、下層二極管硅堆單元；其中，

所述上層二極管硅堆單元、下層二極管硅堆單元分別包括：兩個(gè)二極管，第一二極管鋁墊塊以及兩個(gè)第二二極管鋁墊塊，所述第一二極管鋁墊塊設(shè)置于兩個(gè)第二二極管鋁墊塊之間，所述兩個(gè)二極管分別設(shè)置于第一二極管鋁墊塊與第二二極管鋁墊塊之間，并且二極管的陰極與第一二極管鋁墊塊相連接，二極管的陽(yáng)極與第二二極管鋁墊塊相連接；

上層硅堆單元的一第二二極管鋁墊塊通過(guò)一鐵板連接到下層硅堆單元的一第二二極管鋁墊塊，上層硅堆單元的另一第二二極管鋁墊塊通過(guò)另一鐵板連接到下層硅堆單元的另一第二二極管鋁墊塊，形成二極管壓接組件單元，所述硅堆單元的四個(gè)二極管構(gòu)成內(nèi)部全橋。

2.一種二極管壓接組件，其特征在于，所述的二極管壓接組件包括：至少兩個(gè)二極管壓接組件單元，二極管壓接框架，輸入銅排母線以及輸出銅排母線；所述的二極管壓接組件單元級(jí)聯(lián)，設(shè)置于輸入銅排母線與輸出銅排母線之間構(gòu)成壓接部分，所述壓接部分固定于二極管壓接框架；其中，

所述的二極管壓接組件單元包括：上層二極管硅堆單元、下層二極管硅堆單元；其中，

所述上層二極管硅堆單元、下層二極管硅堆單元分別包括：兩個(gè)二極管，第一二極管鋁墊塊以及兩個(gè)第二二極管鋁墊塊，所述第一二極管鋁墊塊設(shè)置于兩個(gè)第二二極管鋁墊塊之間，所述兩個(gè)二極管分別設(shè)置于第一二極管鋁墊塊與第二二極管鋁墊塊之間，并且二極管的陰極與第一二極管鋁墊塊相連接，二極管的陽(yáng)極與第二二極管鋁墊塊相連接；

上層硅堆單元的一第二二極管鋁墊塊通過(guò)一鐵板連接到下層硅堆單元的一第二二極管鋁墊塊，上層硅堆單元的另一第二二極管鋁墊塊通過(guò)另一鐵板連接到下層硅堆單元的另一第二二極管鋁墊，形成二極管壓接組件單元，所述硅堆單元的四個(gè)二極管構(gòu)成內(nèi)部全橋。

3.一種全橋級(jí)聯(lián)單元，其特征在于，所述的全橋級(jí)聯(lián)單元包括：二極管壓接組件單元、IGBT并聯(lián)單元；其中，

所述的二極管壓接組件單元包括：上層二極管硅堆單元、下層二極管硅堆單元；

所述上層二極管硅堆單元、下層二極管硅堆單元分別包括：兩個(gè)二極管，第一二極管鋁墊塊以及兩個(gè)第二二極管鋁墊塊，所述第一二極管鋁墊塊設(shè)置于兩個(gè)第二二極管鋁墊塊之間，所述兩個(gè)二極管分別設(shè)置于第一二極管鋁墊塊與第二二極管鋁墊塊之間，并且二極管的陰極與第一二極管鋁墊塊相連接，二極管的陽(yáng)極與第二二極管鋁墊塊相連接；

上層硅堆單元的一第二二極管鋁墊塊通過(guò)一鐵板連接到下層硅堆單元的一第二二極管鋁墊塊，上層硅堆單元的另一第二二極管鋁墊塊通過(guò)另一鐵板連接到下層硅堆單元的另一第二二極管鋁墊塊，形成二極管壓接組件單元，所述硅堆單元的四個(gè)二極管構(gòu)成內(nèi)部全橋；

所述IGBT并聯(lián)單元包括：第一IGBT鋁墊塊，第二IGBT鋁墊塊，第三IGBT鋁墊塊，第一壓接式IGBT以及第二壓接式IGBT，三個(gè)鋁墊塊和兩個(gè)壓接式IGBT壓接裝配成所述IGBT并聯(lián)單元；兩個(gè)壓接式IGBT間隔設(shè)置于三個(gè)鋁墊塊之間，設(shè)置于中間的第二鋁墊塊的兩個(gè)連接面分別與第一壓接式IGBT、第二壓接式IGBT的集電極連接，所述第一壓接式IGBT的發(fā)射極與第一鋁墊塊相貼連接，所述第二壓接式IGBT的發(fā)射極與第三鋁墊塊相貼連接，第一壓接式IGBT與第二壓接式IGBT并聯(lián)；

所述的IGBT并聯(lián)單元通過(guò)銅排并聯(lián)在二極管壓接組件單元內(nèi)部。