[發明專利]二極管壓接組件單元、全橋級聯單元及模塊有效
| 申請號: | 201811273751.5 | 申請日: | 2018-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN109545779B | 公開(公告)日: | 2020-07-24 |
| 發明(設計)人: | 茍銳鋒;李超;趙朝偉;鄭全旭;封磊;孫銀山;楊曉平;任軍輝;王江濤 | 申請(專利權)人: | 西安西電電力系統有限公司;中國西電電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07;H01L25/18;H01H71/02 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 王濤;孫乳筍 |
| 地址: | 710075 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二極管 組件 單元 級聯 模塊 | ||
1.一種二極管壓接組件單元,其特征在于,所述的二極管壓接組件單元包括:上層二極管硅堆單元、下層二極管硅堆單元;其中,
所述上層二極管硅堆單元、下層二極管硅堆單元分別包括:兩個二極管,第一二極管鋁墊塊以及兩個第二二極管鋁墊塊,所述第一二極管鋁墊塊設置于兩個第二二極管鋁墊塊之間,所述兩個二極管分別設置于第一二極管鋁墊塊與第二二極管鋁墊塊之間,并且二極管的陰極與第一二極管鋁墊塊相連接,二極管的陽極與第二二極管鋁墊塊相連接;
上層硅堆單元的一第二二極管鋁墊塊通過一鐵板連接到下層硅堆單元的一第二二極管鋁墊塊,上層硅堆單元的另一第二二極管鋁墊塊通過另一鐵板連接到下層硅堆單元的另一第二二極管鋁墊塊,形成二極管壓接組件單元,所述硅堆單元的四個二極管構成內部全橋。
2.一種二極管壓接組件,其特征在于,所述的二極管壓接組件包括:至少兩個二極管壓接組件單元,二極管壓接框架,輸入銅排母線以及輸出銅排母線;所述的二極管壓接組件單元級聯,設置于輸入銅排母線與輸出銅排母線之間構成壓接部分,所述壓接部分固定于二極管壓接框架;其中,
所述的二極管壓接組件單元包括:上層二極管硅堆單元、下層二極管硅堆單元;其中,
所述上層二極管硅堆單元、下層二極管硅堆單元分別包括:兩個二極管,第一二極管鋁墊塊以及兩個第二二極管鋁墊塊,所述第一二極管鋁墊塊設置于兩個第二二極管鋁墊塊之間,所述兩個二極管分別設置于第一二極管鋁墊塊與第二二極管鋁墊塊之間,并且二極管的陰極與第一二極管鋁墊塊相連接,二極管的陽極與第二二極管鋁墊塊相連接;
上層硅堆單元的一第二二極管鋁墊塊通過一鐵板連接到下層硅堆單元的一第二二極管鋁墊塊,上層硅堆單元的另一第二二極管鋁墊塊通過另一鐵板連接到下層硅堆單元的另一第二二極管鋁墊,形成二極管壓接組件單元,所述硅堆單元的四個二極管構成內部全橋。
3.一種全橋級聯單元,其特征在于,所述的全橋級聯單元包括:二極管壓接組件單元、IGBT并聯單元;其中,
所述的二極管壓接組件單元包括:上層二極管硅堆單元、下層二極管硅堆單元;
所述上層二極管硅堆單元、下層二極管硅堆單元分別包括:兩個二極管,第一二極管鋁墊塊以及兩個第二二極管鋁墊塊,所述第一二極管鋁墊塊設置于兩個第二二極管鋁墊塊之間,所述兩個二極管分別設置于第一二極管鋁墊塊與第二二極管鋁墊塊之間,并且二極管的陰極與第一二極管鋁墊塊相連接,二極管的陽極與第二二極管鋁墊塊相連接;
上層硅堆單元的一第二二極管鋁墊塊通過一鐵板連接到下層硅堆單元的一第二二極管鋁墊塊,上層硅堆單元的另一第二二極管鋁墊塊通過另一鐵板連接到下層硅堆單元的另一第二二極管鋁墊塊,形成二極管壓接組件單元,所述硅堆單元的四個二極管構成內部全橋;
所述IGBT并聯單元包括:第一IGBT鋁墊塊,第二IGBT鋁墊塊,第三IGBT鋁墊塊,第一壓接式IGBT以及第二壓接式IGBT,三個鋁墊塊和兩個壓接式IGBT壓接裝配成所述IGBT并聯單元;兩個壓接式IGBT間隔設置于三個鋁墊塊之間,設置于中間的第二鋁墊塊的兩個連接面分別與第一壓接式IGBT、第二壓接式IGBT的集電極連接,所述第一壓接式IGBT的發射極與第一鋁墊塊相貼連接,所述第二壓接式IGBT的發射極與第三鋁墊塊相貼連接,第一壓接式IGBT與第二壓接式IGBT并聯;
所述的IGBT并聯單元通過銅排并聯在二極管壓接組件單元內部。
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