[發(fā)明專利]一種應(yīng)用于多級(jí)串聯(lián)IGBT的隔離式供電電源

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811273168.4
• 申請(qǐng)日: 2018-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN109245501B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳慶國(guó);盧華鑫;程嵩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱理工大學(xué)
• 主分類號(hào): H02M1/096
• 分類號(hào): H02M1/096;H02J5/00;H01F27/32;H01F27/28
• 代理公司: 北京睿智保誠(chéng)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11732
• 代理人: 王燦

1.一種應(yīng)用于多級(jí)串聯(lián)IGBT的隔離式供電電源，其特征在于，包括：直流源、兩個(gè)MOSFET、兩條交流母線、PWM控制器、N個(gè)磁環(huán)變壓器、N個(gè)整流模塊、絕緣管；

所述MOSFET，其作用是改變電流在兩條交流母線中的流動(dòng)方向；兩個(gè)MOSFET的源極與地相連；兩個(gè)MOSFET的柵極分別與PWM控制器的兩個(gè)輸出信號(hào)端連接；兩個(gè)MOSFET的漏極分別與兩條交流母線的B端相連；

提高兩條交流母線與N個(gè)磁環(huán)變壓器副邊線圈之間的絕緣；絕緣管套在兩條交流母線外；絕緣管穿過N個(gè)磁環(huán)變壓器的中心；

兩條交流母線各有兩個(gè)接線端，標(biāo)記為A端與B端；兩條交流母線的A端與直流源的輸出端相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于多級(jí)串聯(lián)IGBT的隔離式供電電源，其特征在于，是多級(jí)串聯(lián)IGBT的隔離式供電電源的主電源。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于多級(jí)串聯(lián)IGBT的隔離式供電電源，其特征在于，PWM控制器有兩個(gè)輸出端，分別與兩個(gè)MOSFET的柵極連接；PWM控制器的的輸出為兩路互補(bǔ)的方波信號(hào)，用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)MOSFET。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于多級(jí)串聯(lián)IGBT的隔離式供電電源，其特征在于，在PWM控制器的控制下，使兩條交流母線中交替出現(xiàn)電流。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于多級(jí)串聯(lián)IGBT的隔離式供電電源，其特征在于，穿過磁環(huán)變壓器的中心；在磁環(huán)變壓器中產(chǎn)生雙向勵(lì)磁。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于多級(jí)串聯(lián)IGBT的隔離式供電電源，其特征在于，磁環(huán)變壓器的磁芯采用采用的是鐵氧體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于多級(jí)串聯(lián)IGBT的隔離式供電電源，其特征在于，磁環(huán)變壓器原邊為兩條交流母線；兩條交流母線從N個(gè)磁環(huán)變壓器的中心穿過；磁環(huán)變壓器的副邊為多匝線圈；每一個(gè)磁環(huán)變壓器的副邊線圈和與其相對(duì)應(yīng)的整流模塊的輸入端相連。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于多級(jí)串聯(lián)IGBT的隔離式供電電源，其特征在于，將磁環(huán)變壓器的副邊輸出的交流信號(hào)整流成直流；每一個(gè)整流模塊的輸入端和與其相對(duì)應(yīng)的磁環(huán)變壓器的副邊線圈相連接；每一個(gè)整流模塊的輸出端與相應(yīng)的負(fù)載相連。