[發明專利]固態存儲裝置的讀取重試方法

有效

• 申請號: 201811273012.6
• 申請日: 2018-10-29
• 公開（公告）號: CN111104245B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 胡智源
• 申請（專利權）人: 建興儲存科技(廣州)有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

一種固態存儲裝置的讀取重試方法，該固態存儲裝置連接至一主機，且該固態存儲裝置包括一非易失性存儲器，該讀取重試方法包括下列步驟：判斷該非易失性存儲器中的一指定讀取區塊是否遭遇到一特定失敗模式；于確認該指定讀取區塊遭遇到該特定失敗模式時，進行對應該特定失敗模式的一失敗模式讀取重試流程；于該失敗模式讀取重試流程可獲得一正確讀取數據時，將該正確讀取數據傳遞至該主機；以及于該失敗模式讀取重試流程無法獲得該正確讀取數據時，回復該主機發生一讀取失敗。

技術領域

本發明是有關于一種固態存儲裝置的控制方法，且特別是有關于一種固態存儲裝置的讀取重試方法。

背景技術

眾所周知，固態存儲裝置(Solid?State?Storage?Device，簡稱SSD)已經非常廣泛的應用于各種電子產品，例如SD卡、筆記本電腦、服務器、數據中心等等。

一般來說，固態存儲裝置中包括一非易失性存儲器(non-volatile?memory)。當數據寫入非易失性存儲器后，一旦固態存儲裝置的電源被關閉，數據仍可保存在非易失性存儲器中。

請參照圖1A，其所示為現有固態存儲裝置示意圖。固態存儲裝置10包括：控制電路130以及非易失性存儲器110。其中，控制電路130中包括錯誤更正碼電路(簡稱ECC電路)134。再者，固態存儲裝置10更包括讀取表136。如圖1A所示，固態存儲裝置10的讀取表136設計于控制電路130中。當然，除了設計于控制電路130之外，固態存儲裝置10的讀取表136也可以設計于非易失性存儲器110中。

固態存儲裝置10經由一外部總線152連接至主機(host)150，其中外部總線152可為USB總線、SATA總線、PCIe總線、M.2總線或者U.2總線等等。

再者，控制電路130連接至非易失性存儲器110，用以根據主機150所發出的寫入命令進一步將主機150的寫入數據存入非易失性存儲器110，以及根據主機150所發出的讀取命令由非易失性存儲器110中取得讀取數據，經由控制電路130傳遞至主機150。

非易失性存儲器110包括多個晶粒(die)111～126，并組成容錯式磁盤陣列(redundant?array?of?independent?disk，簡稱RAID)用以提高數據的可靠度。再者，晶粒111～126可為與非門快閃存儲器晶粒(NAND?flash?die)。

在具備RAID功能的固態存儲裝置10中，多個晶粒111～126中的至少一個晶粒是用來存儲同位數據(parity?data)。以使用最后一個晶粒126來存儲同位數據為例，控制電路130會將主機150的寫入數據分配為多筆子寫入數據，并且將多筆子寫入數據寫入晶粒111～125中。同時，控制電路130會產生對應此多筆子寫入數據的同位數據，并寫入最后一個晶粒126中。

舉例來說，假設非易失性存儲器110中共有16個晶粒111～126，最后一個晶粒126用來存儲同位數據，且固態存儲裝置10中所設定的條帶化尺寸(stripe?size)為160Kbytes。當控制電路130接收了150Kbytes的寫入數據后，控制電路130會對150Kbytes的寫入數據進行RAID運算并產生10Kbytes的同位數據(parity?data)。此時，寫入數據加上同位數據相當于條帶化尺寸(stripe?size)的160Kbytes，而控制電路130會將其寫入對應的晶粒111～126中。